[发明专利]基于键合的薄膜体声波谐振器及其加工方法

权利要求书

1.一种基于键合的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的第一金属柱和第二金属柱；以及

设置于所述第一金属柱和所述第二金属柱之间的压电薄膜堆叠结构，其中，所述压电薄膜堆叠结构包括第一电极、压电层和第二电极，所述压电层位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述第一电极还与所述第一金属柱电连接，所述第二电极还与所述第二金属柱电连接。

2.根据权利要求1所述的基于键合的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极的第一端位于所述压电层朝向所述衬底的表面，所述第二电极的第二端与所述第二金属柱电连接，且所述第二电极的第二端与所述第一电极的表面相齐平。

3.根据权利要求1所述的基于键合的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极的材料为钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一。

4.根据权利要求1所述的基于键合的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌、铌酸锂、钽酸锂之一。

5.根据权利要求1所述的基于键合的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底的材料为单晶硅、多晶硅、玻璃、石英或蓝宝石。

6.一种基于键合的薄膜体声波谐振器的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上沉积电极材料和压电材料，构建压电薄膜堆叠结构，其中，所述压电薄膜堆叠结构包括第一电极、压电层和第二电极，所述压电层位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述第一电极和所述第二电极相对设置；

在所述电极材料表面沉积第一薄膜材料；

对所述第一薄膜材料进行图形化，形成用于连接所述第一电极和所述第二电极的通孔；

在所述第一薄膜材料表面沉积金属材料，填充所述通孔，形成用于连接所述第一电极和所述第二电极的金属柱；

去除所述第一薄膜材料；

将所述金属柱和基板进行共熔键合；

剥离所述衬底。

7.根据权利要求6所述的基于键合的薄膜体声波谐振器的加工方法，其特征在于，所述在衬底上沉积电极材料和压电材料，构建压电薄膜堆叠结构，具体包括以下步骤：

在衬底上沉积第二薄膜材料；

在所述第二薄膜材料表面沉积电极材料和压电材料，构建压电薄膜堆叠结构；

所述剥离所述衬底，具体包括以下步骤：

腐蚀所述第二薄膜材料，以使所述衬底与所述压电薄膜堆叠结构分离。

8.根据权利要求7所述的基于键合的薄膜体声波谐振器的加工方法，其特征在于，所述压电薄膜堆叠结构包括第一电极、压电层和第二电极；

所述在所述第二薄膜材料表面沉积电极材料和压电材料，构建压电薄膜堆叠结构，具体包括以下步骤：

在所述第二薄膜材料表面沉积电极材料，进行图形化，构建第一电极；

在所述第一电极表面依次沉积压电材料和电极材料，进行图形化，构建压电层和第二电极。

9.根据权利要求6所述的基于键合的薄膜体声波谐振器的加工方法，其特征在于，还包括以下步骤：将剥离衬底后的器件进行清洗。

10.根据权利要求7所述的基于键合的薄膜体声波谐振器的加工方法，其特征在于，所述第二薄膜材料为二氧化硅、氮化硅或磷硅酸玻璃。