[发明专利]光掩模坯料和制备光掩模的方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，使用波长250nm以下的曝光光将其加工成适于图案转印的光掩模，所述光掩模坯料包括透明衬底和含铬膜，所述含铬膜直接设置在衬底上或通过光学膜设置在衬底上，且能够用含氧的氯基气体干法刻蚀，其中

所述含铬膜由单层或多层构成，所述单层或所述多层中的至少一层是由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层，

所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层具有如下组成：碳与铬的原子比是0.3以上，氮与铬的原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳与氧的原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳与氧的原子比是1以上。

2.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层的氧含量是20at％以上。

3.权利要求1所述的光掩模坯料，其中如通过在原子力显微镜下的表面轮廓测量在任何1μm见方的区域所分析的那样，所述含铬膜的远离所述衬底设置的表面的均方根粗糙度(RMS)是1nm以下且最大高度差(Rmax)是9nm以下。

4.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述含铬膜的厚度是70nm以下。

5.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述含铬膜的相对于所述曝光光的光密度是1.5以上。

6.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述含铬膜由多层构成，所述含铬膜的最远离衬底的层是由不含碳的铬化合物组成的层。

7.权利要求6所述的光掩模坯料，其中所述不含碳的铬化合物含有氮或者氮和氧且氮含量是5at％以上，厚度是1至5nm。

8.权利要求7所述的光掩模坯料，其中所述由含氧和氮的不含碳的铬化合物组成的层具有50at％以下的铬含量和40at％以上的氮含量。

9.权利要求1所述的光掩模坯料，其中所述含铬膜通过所述光学膜设置在所述透明衬底上，并且所述光学膜包括由含硅但不含过渡金属的材料，或含硅和过渡金属的材料形成的相移膜。

10.权利要求9所述的光掩模坯料，其中含铬膜和相移膜的相对于曝光光的光密度之和是2.5以上。

11.权利要求1所述的光掩模坯料，还包括在含铬膜上的含硅材料的硬掩模膜。

12.由权利要求1所述的光掩模坯料制备光掩模的方法，包括通过含氧的氯基干法刻蚀对光掩模坯料的含铬膜进行图案化的步骤。