[发明专利]一种荧光量子点的优化处理方法

权利要求书

1.一种荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制备荧光量子点包覆材料，所述荧光量子点包覆材料包括荧光量子点和包覆在所述荧光量子点上的阻挡层，所述荧光量子点包覆材料在制备时引入含有极性官能团的硅烷偶联剂一；

(2)取荧光量子点包覆材料，分散于非极性溶剂中，在惰性气体保护下加入硅烷偶联剂二，加热搅拌，所述硅烷偶联剂二含有官能团碳碳双键、环氧基、丙烯酸基、氨基甲酸酯基中的任一种；

(3)加入聚合物单体，在步骤(2)的产物表面制备聚合物层；

(4)在惰性气体保护下，对步骤(3)的产物进行辐照处理完成所述聚合物层的辐照交联，辐照源为γ射线或电子射线。

2.根据权利要求1所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为介孔材料，步骤(1)具体为：取荧光量子点分散于非极性溶剂中得到荧光量子点分散液；取介孔材料，加入含有极性官能团的硅烷偶联剂一，得到功能化介孔颗粒；将所述功能化介孔颗粒分散于非极性溶剂中，搅拌，逐滴加入荧光量子点分散液，搅拌得到荧光量子点包覆材料。

3.根据权利要求1所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为无机非金属材料或金属氧化物，步骤(1)具体为：取荧光量子点，加入含有极性官能团的硅烷偶联剂一，分散于非极性溶剂中，加入阻挡层的材料前驱体在荧光量子点上包覆阻挡层。

4.根据权利要求3所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种。

5.根据权利要求2-4任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂一含有的极性官能团为羟基、羧基、巯基中的任一种。

6.根据权利要求5所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂一为γ-巯丙基三甲氧基硅烷、二苯基硅二醇中的任一种。

7.根据权利要求1-4、6任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂二为3-(三甲氧基甲硅基)甲基丙烯酸丙酯、乙烯基三甲氧硅烷。

8.根据权利要求1-4、6任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，步骤(2)中硅烷偶联剂二：荧光量子点包覆材料的质量比为1：(10～1000)。

9.根据权利要求1所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，辐照处理中辐照能量为1～50Mrad。

10.根据权利要求1-4、6任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，所述聚合物单体为苯乙烯、乙烯、甲基丙烯酸甲酯中的任一种。

11.根据权利要求1-4、6任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，步骤(3)中利用乳液聚合法、反相乳液聚合法中任一种方式制备聚合物层。

12.根据权利要求1-4、6任一项所述的荧光量子点的优化处理方法，其特征在于，步骤(3)具体为：将步骤(2)的产物分散于极性溶剂中，加入表面活性剂和聚合物单体，加热搅拌制备聚合物层。