[发明专利]一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201811340663.2 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109450418A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 陈果田 申请(专利权)人: 成都法姆科技有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 四川力久律师事务所 51221 代理人: 李正
地址: 610091 四川省成都市青羊区青羊*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 开关控制单元 绝缘栅双极型晶体管 电阻 关断 隔离驱动电路 脉冲驱动单元 二极管整流 驱动电阻 输出端 截止 发射极接地 输入端连接 波形信号 单元连接 开关信号 驱动能量 停止信号 栅极相连 输入端 传递 导通 电路 输出
【说明书】:

本发明公开了一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路及其控制方法,所述电路包括:产生相位互补的波形信号的脉冲驱动单元、二极管整流单元、开关控制单元、驱动电阻、关断电阻、绝缘栅双极型晶体管,所述驱动电阻、关断电阻的输出端均与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连,所述绝缘栅双极型晶体管发射极接地。所述开关控制单元输入端与二极管整流单元连接,其输出端与关断电阻的输入端连接,以在脉冲驱动单元停止信号输出时控制绝缘栅双极型晶体管截止。本发明够在传递驱动能量的同时,完成开关信号的传递,通过开关控制单元可以很好地控制IGBT的截止、导通,同时本发明可以适用于低频工况,具有较强的实用性。

技术领域

本发明涉及驱动电路技术领域,尤其涉及一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路及其控制方法。

背景技术

现行主要的功率器件包括MOSFET(绝缘栅极场效晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管),都属于电容型栅极功率器件。其驱动条件具体表现为,开通时,对其栅极电容进行充电;关断时,对其栅极电容进行放电。

隔离驱动基本要素包括:驱动能量和开关信号。隔离驱动基本电路形式包括:光耦隔离驱动和变压器隔离驱动。如图1所示,使用光耦隔离驱动方式时,需要独立的一组隔离电源提供能量,该电源一般需要工频隔离变压器或者开关电源来完成;再由光耦提供开关信号,完成开关信号的传递。

如图2所示,使用变压器隔离驱动时,在传输能量的同时,也完成了开关信号的传递。因此变压器隔离驱动实现起来更为方便,应用的成本也会更低。通常的变压器隔离驱动电路,使用了一只变压器。当变压器隔离驱动用于中高频时,配置较小的原边串联电容,即可有效的让驱动变压器在两个极性交替工作,不会由于直流偏置而导致饱和风险。而针对多路同时驱动时,只需要根据所需驱动数量直接增加绕组即可;针对特高压驱动时,只需要根据绝缘耐压情况直接增加驱动变压器级数即可,因此易于级联也是变压器隔离驱动的优点。

但在一些应用中,如:蓄电池的脉冲充电应用、焊接的交流方波电源应用,大功率固态继电器应用等。功率器件在低频工况下工作。如果直接用变压器隔离驱动,需要变压器工作在低频或单极性的状态下,这会导致变压器由于直流偏置而导致饱和的风险大大增加。因此,常规的变压器隔离驱动电路不能满足低频工况的要求。

因此面对低频工况时,即使电路设计复杂一些,一般也只能采用的光耦隔离的方式。但是光耦隔离在针对多路驱动时,每一路都要提供独立光耦以及独立隔离供电;针对特高压驱动时,单极驱动绝缘耐压不够,多级驱动时使用光耦隔离的方式,会导致电路极其复杂。

申请公布号为CN107809230A的中国发明专利公开了一种隔离型振荡解调式IGBT驱动电路,如图3所示,该电路使用了一只变压器,使用载波的方式完成能量的同时传递,并用了一只电感形成LRC振荡电路,从而实现平波、缓冲IGBT持续导通时间的作用,此电路电路简洁。但是需要提供低频的开通时,半周期的载波脉冲长期处于单极性工作,驱动变压器仍旧面临饱和风险。

然而,所述隔离型振荡解调式IGBT驱动电路存在电感缓冲效果较差、不能兼容低频工况、应用面较窄的技术问题。

发明内容

本发明的目的之一至少在于,针对如何克服上述现有技术存在的问题,提供一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路,能够在传输能量的同时,也完成了开关信号的传递,同时该电路电路简洁、应用性广、具有极强的兼容性。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案包括以下各方面。

一种带开关控制单元的IGBT隔离驱动电路,所述隔离驱动电路,包括:产生相位互补的波形信号的脉冲驱动单元、驱动电阻、关断电阻、绝缘栅双极型晶体管,所述驱动电阻、关断电阻的输出端均与绝缘栅双极型晶体管的栅极相连,所述绝缘栅双极型晶体管发射极接地;

进一步的,所述隔离驱动电路还包括:二极管整流单元、开关控制单元;

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