[发明专利]一种PTFE基微波复合介质基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201811338450.6 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109336461B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周静;祁琰媛;陈文;沈杰;郑柳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B26/08 | 分类号： | C04B26/08;C04B40/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王忠宝 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ptfe 微波 复合 介质 及其 制备 方法 | ||
1.一种PTFE基微波复合介质基板的制备方法，具体步骤如下：提供高介钙钛矿型陶瓷；将所述高介钙钛矿型陶瓷与聚四氟乙烯混合，得到有机无机共混物；将所述有机无机共混物模压，得到复合材料预压片；将所述复合材料预压片真空热压，得到PTFE基微波复合介质基板；
所述高介钙钛矿型陶瓷的平均粒径为5～10μm；
所述真空热压的压强为10～15MPa，时间为2～4h，温度为395～405℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高介钙钛矿型陶瓷的介电常数εr为95～115，介电损耗tgδ小于5×10-3，εr的温度系数的绝对值小于30ppm/℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机无机共混物中高介钙钛矿型陶瓷的质量百分数为50～68％，聚四氟乙烯的质量百分数为32～50％。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述聚四氟乙烯的平均粒径为15～30μm。
5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述高介钙钛矿型陶瓷与聚四氟乙烯混合方式为干法混合。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合材料预压片的规格为边长200mm×200mm的正方形坯体。
7.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述复合材料预压片的厚度为0.8～1.5mm。
8.权利要求1～7任意一项所述制备方法制得的PTFE基微波复合介质基板，所述PTFE基微波复合介质基板包括钙钛矿型陶瓷和聚四氟乙烯，所述PTFE基微波复合介质基板的介电常数εr为5.9～10.5，介电损耗tgδ＜3×10-3，εr的温度系数的绝对值小于200ppm/℃。
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