[发明专利]一种低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线有效
| 申请号： | 201811338288.8 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109494464B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨仕文;王炳均;陈益凯;屈世伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q9/16;H01Q15/24;H01Q19/10;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强耦合 阻抗匹配层 偶极子单元 相控阵天线 反射 地板 低交叉极化 超宽带 偶极子 宽角 天线 偶极子结构 偶极子贴片 交叉极化 金属通孔 开口环形 馈电巴伦 双层介质 阵列单元 谐振 超材料 高频段 隔离度 模块化 轻量化 共形 基板 竖直 平行 镶嵌 垂直 改进 | ||
1.一种低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，包括对跖强耦合偶极子单元(1)、阻抗匹配层(2)和反射地板(3)；所述对跖强耦合偶极子单元(1)的底部垂直镶嵌于反射地板(3)内，所述阻抗匹配层(2)设置于对跖强耦合偶极子单元(1)顶部，且与反射地板(3)平行；
所述对跖强耦合偶极子单元(1)包括天线介质基板组、强耦合偶极子辐射贴片组和馈电巴伦组；
所述天线介质基板组包括第一天线介质基板(101)和第二天线介质基板(102)，强耦合偶极子辐射贴片组包括第一强耦合偶极子辐射贴片(103)、第二强耦合偶极子辐射贴片(104)和第三强耦合偶极子辐射贴片(105)；
所述第一天线介质基板(101)紧贴于第二天线介质基板(102)，且第一天线介质基板(101)与第二天线介质基板(102)接触的内侧表面印刷有第二强耦合偶极子辐射贴片(104)，第一天线介质基板(101)的外侧表面印刷有第一强耦合偶极子辐射贴片(103)，第二天线介质基板(102)的外侧表面印刷有第三强耦合偶极子辐射贴片(105)；
所述第一强耦合偶极子辐射贴片(103)、第二强耦合偶极子辐射贴片(104)和第三强耦合偶极子辐射贴片(105)的一端端部分别连接有第一馈电巴伦(106)、第二馈电巴伦(107)和第三馈电巴伦(108)；
所述第一强耦合偶极子辐射贴片(103)和第三强耦合偶极子辐射贴片(105)的另一端端部分别连接有第一短路贴片(109)和第二短路贴片(110)。
2.根据权利要求1所述的低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，所述第一天线介质基板(101)的外侧表面还印刷有第一三角形辐射贴片(111)，第二天线介质基板(102)的外侧表面还印刷有第二三角形辐射贴片(112)；
所述第一三角形辐射贴片(111)和第一强耦合偶极子辐射贴片(103)一体成型；
所述第二三角形辐射贴片(112)和第三强耦合偶极子辐射贴片(105)一体成型。
3.根据权利要求1所述的低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，所述第一馈电巴伦(106)和第三馈电巴伦(108)上均设置有六对相互对称的金属化过孔(113)。
4.根据权利要求1所述的低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，所述阻抗匹配层(2)上表面均匀印刷有若干个超材料环(201)，且每个超材料环(201)均为周期性开口环形结构。
5.根据权利要求1所述的低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，所述阻抗匹配层(2)和反射地板(3)通过尼龙柱(4)连接；
所述反射地板(3)为一整块铝板。
6.根据权利要求1所述的低交叉极化超宽带强耦合对跖偶极子相控阵天线，其特征在于，所述反射地板(3)上用于镶嵌对跖强耦合偶极子单元(1)的凹槽中间位置设置有用于安置微波同轴电缆的过孔(5)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811338288.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
