[发明专利]一种静电纺丝牙釉质再矿化贴膜的制备方法有效
申请号: | 201811336902.7 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109453036B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 陈庆华;王琬莹;田哲玮;陈希亮 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | A61K6/838 | 分类号: | A61K6/838;A61K6/80;D04H1/728;D04H1/30;D01D1/02;D01D1/10;D01F4/00;D01F1/10 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 纺丝 釉质 再矿化贴膜 制备 方法 | ||
1.一种静电纺丝牙釉质再矿化贴膜的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
(1)在40℃~90℃,按照明胶与冰乙酸的质量体积比g:mL为1~50:100的比例,将明胶溶于冰乙酸中,搅拌使其充分溶解;
(2)将氨基酸改性纳米羟基磷灰石加入步骤(1)所得明胶溶液中,磁力搅拌6~12h,最后超声分散1~3h,然后进行负压脱泡处理得到纺丝液;
(3)取步骤(2)所得纺丝液进行静电纺丝得到纺丝纤维,将纺丝纤维采用交联剂进行交联,得到牙釉质再矿化贴膜;
步骤(2)所述的改性纳米羟基磷灰石为:采用氨基酸进行复合改性得到的纳米羟基磷灰石,所述氨基酸为甘氨酸、谷氨酸、天冬氨酸、丝氨酸中的一种;
步骤(2)所述氨基酸改性纳米羟基磷灰石的质量百分比为0.1%~50%,明胶的质量百分比为50%~99.9%;
步骤(2)所述负压脱泡的条件为:在400~760mm汞柱的负压下脱泡10~20h;
步骤(3)所述静电纺丝条件为:所用针头为17~20号,纺丝液的推进速度为0.1~0.2mm/min,正电压为16~20KV,负电压为-3.5KV,针头与接收装置的距离为10~30cm;
步骤(4)所述的交联剂为:1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐和N-羟基琥珀酰亚胺的混合物、戊二醛、京尼平或者谷氨酰胺转胺酶。
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