[发明专利]基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.基于二维二硒化钯纳米薄膜与锗的自驱动异质结型红外光电探测器，其特征在于：

所述的自驱动异质结型红外光电探测器是在锗基底(1)的上表面平铺有二维二硒化钯纳米薄膜(2)；在所述二维二硒化钯纳米薄膜(2)上设置有与所述二维二硒化钯纳米薄膜(2)呈欧姆接触的第一金属电极(3)，在所述锗基底(1)的下表面设置有与所述锗基底(1)呈欧姆接触的第二金属电极(4)；

所述锗基底(1)与二维二硒化钯纳米薄膜(2)之间形成异质结，并以所述第一金属电极(3)和所述第二金属电极(4)作为两输出级，构筑成为自驱动异质结型红外光电探测器；

所述二维二硒化钯纳米薄膜(2)的厚度在0.4～100纳米范围内；

所述第一金属电极(3)与所述第二金属电极(4)为金电极。

2.根据权利要求1所述的自驱动异质结型红外光电探测器，其特征在于：所述锗基底(1)的导电类型为n型或p型、电阻率在1×10⁴～1×10⁸Ω·cm^-1。

3.一种权利要求1或2所述的自驱动异质结型红外光电探测器的制备方法，其特征在于：

首先，利用磁控溅射技术及化学气相沉积方法制备二维二硒化钯纳米薄膜；然后，将所得二维二硒化钯纳米薄膜转移到锗基底的上表面；最后，再通过热蒸发、电子束镀膜或磁控溅射镀膜的方法在二维二硒化钯纳米薄膜上制备第一金属电极、在锗基底的下表面制备第二金属电极，即完成自驱动异质结型红外光电探测器的制备。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射技术及化学气相沉积方法制备二维二硒化钯纳米薄膜的方法为：

(1)利用磁控溅射镀膜设备在清洗干净的硅或氧化硅衬底上制备一层金属钯薄膜，厚度为1-50纳米；

(2)将镀有钯薄膜的衬底放入管式炉中，同时放入硒粉，并将管内抽成真空状态；

(3)向管内通入氩气，然后加热升温至450-500℃，保温1-3小时，即获得二维二硒化钯纳米薄膜。