[发明专利]图像传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811336099.7 申请日: 2018-11-12
公开(公告)号: CN109302565A 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 吴罚;陈世杰;黄晓橹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H04N5/232 分类号: H04N5/232;H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 感光元件 图像传感器 成像 相位检测信号 相位检测 像素阵列 电荷 对焦检测 图像信号 像素单元 光入射 光转换 排布 配置 入射 穿透 制造 转换
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,包括:

像素阵列,其中所述像素阵列中的至少一个像素单元包括:

成像感光元件,被配置为将入射的光中的一部分转换成用于图像信号的电荷;以及

第一相位检测感光元件和第二相位检测感光元件,并排布置于所述成像感光元件的与光入射一侧相反的一侧,并且分别被配置为将穿透所述成像感光元件进入的光转换成用于第一和第二相位检测信号的电荷,其中第一和第二相位检测信号被用于进行对焦检测。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元还包括读取电路,所述读取电路被配置为工作在第一模式或第二模式,其中在第一模式中所述读取电路分别读取第一和第二相位检测感光元件,以分别产生第一和第二相位检测信号,用于进行对焦检测,以及在第二模式中所述读取电路读取第一和第二相位检测感光元件两者,以产生第一和第二相位检测信号的总和,用于增强图像信号。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述读取电路包括第一和第二传输晶体管,第一和第二传输晶体管的源极和漏极之一分别连接到第一和第二相位检测感光元件,第一和第二传输晶体管的源极和漏极中的另一个连接在一起,第一和第二传输晶体管的栅极分别连接到第一和第二控制信号。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元还包括微透镜和滤色器,所述微透镜和所述滤色器位于光入射到所述成像感光元件之前的光路上。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述滤色器为红色滤色器。

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述成像感光元件包括由第一无机半导体材料形成的光电二极管。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,第一和第二相位检测感光元件中的每一个均包括上电极、下电极以及位于所述上电极与所述下电极之间的有机光电转换膜,其中所述上电极比所述下电极更靠近所述成像感光元件,并且所述上电极对于穿透所述成像感光元件的光是透明的。

8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,第一和第二相位检测感光元件共用有机光电转换膜。

9.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,第一和第二相位检测感光元件还共用上电极和下电极之一,而上电极和下电极中的另一个是彼此分隔开的。

10.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,第一和第二相位检测感光元件的区域分别由分隔开的下电极或上电极限定。

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