[发明专利]一种光电耦合机构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811328379.3 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109407225A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 毛久兵;杨伟;李建平;冯晓娟;杨平;吴圣陶;刘恒;刘鹏;刘平;李澄宇;杨剑 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十研究所
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;G02B6/43
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 邓世燕
地址: 610000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 光电耦合 刚性印制电路板 第一表面 反射面 基材 制造 固定光纤阵列 介质反射膜 金属反射膜 印制电路板 第二表面 光电阵列 光纤定位 光纤阵列 互联基板 基材制成 制作工艺 装配工艺 耦合机构 耦合效率 公差 工艺流程 垂直的 夹角为 实施性 层压 容限 反射 并行 兼容 芯片 制作 加工 开发
【权利要求书】:

1.一种光电耦合机构,其特征在于:采用刚性印制电路板基材制成,所述基材具有相对的第一表面和第二表面以及第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽和第二凹槽均由第一表面向第二表面加工凹陷;所述第一凹槽具有相互垂直的第一反射面和第二平面,所述第一反射面朝向第二凹槽的方向,与基材的第一表面的夹角为43°到47°,在第一反射面上镀有金属反射膜或介质反射膜;第一凹槽的中分线与第二凹槽的端面平行;在第一凹槽和第二凹槽之间设置有光纤定位沟槽。

2.根据权利要求1所述的一种光电耦合机构,其特征在于:所述第一反射面与基材的第一表面的夹角为45°。

3.根据权利要求1所述的一种光电耦合机构,其特征在于:所述光纤定位沟槽的横截面形状为矩形、倒梯形、“U”型或“V”型。

4.根据权利要求1所述的一种光电耦合机构,其特征在于:所述光纤定位沟槽等间隔分布,间距根据并行光电阵列芯片光通路间距确定,尺寸根据光纤阵列互联基板中光纤的直径确定。

5.根据权利要求4所述的一种光电耦合机构,其特征在于:当所述光纤阵列互联基板为垂直腔面发射激光器阵列或GaAs PIN光电探测器阵列时,光纤定位沟槽的间距为250μm。

6.一种权利要求1所述光电耦合机构的制造方法,其特征在于:所述第一凹槽具有的相互垂直的第一反射面和第二平面采用90°“V”型划片机加工而成;所述第二凹槽通过控深铣技术加工而成,用于设置光纤阵列互联基板,所述光纤阵列互联基板采用紫外线固化粘结剂紧固在第二凹槽中。

7.根据权利要求6所述的光电耦合机构的制造方法,其特征在于:所述光纤阵列互联基板中埋入的光纤露出3-5mm利用紫外固化粘结剂紧固在光纤定位沟槽中,通过第一反射面与并行光电阵列芯片进行耦合。

8.根据权利要求7所述的光电耦合机构的制造方法,其特征在于:所述第二凹槽的凹陷深度值大于光纤定位沟槽的凹陷深度值,深度差值等于光纤纤芯到光纤阵列互联基板底面距离值减去光纤的半径值。

9.根据权利要求6所述的光电耦合机构的制造方法,其特征在于:将第一反射面所在的梯形模块整体从刚性印制电路板基材上分离出来形成单独的反射模块,刚性印制电路板基材去掉反射模块后的表面与第二平面一起构成第一凹槽。

10.根据权利要求9所述的光电耦合机构的制造方法,其特征在于:所述反射模块采用陶瓷片、硅片、玻璃片或金属片单独加工制作,在加工出的第一反射面上镀金属反射膜或介质反射膜。

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