[发明专利]一种航空变换器的浪涌抑制电路在审

专利信息
申请号: 201811327875.7 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109510448A 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 李阳;李凯峰;孟宪腾 申请(专利权)人: 天津航空机电有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M3/158
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 高霖
地址: 300308 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 浪涌抑制电路 输入电源 一端连接 用电设备 变换器 电路 电压调节电路 电路结构 电压抑制 反馈电路 功能抑制 浪涌电压 滤波电路 驱动电路 输入电压 输入侧 采样 航空 保证
【权利要求书】:

1.一种航空变换器的浪涌抑制电路,由滤波电路、采样反馈电路、电压调节电路和驱动电路组成;

其中,滤波电路由两支电解电容C2、C3组成,并联接在输入电源Vin和GND两端;

电压调节电路由两支NPN型三极管V2、V3和一支限流电阻R2组成,三极管V2基极与采样反馈电路采样端相接,三极管V2发射极与输入地相接,三极管V2集电极通过限流电阻R2与输入电源Vin相接同时与三极管V3的基极相接;

采样反馈电路,通过非隔离型采样电路,将输出电压分压,得到基准电压值Vref,具体由电阻R5和R8实现,电阻R5和R8公共端为分压得到的参考电压Vref,电阻R5另一端与浪涌抑制电路的输出FAN+相接,电阻R8另一端与GND相接;

驱动电路由两支分压电阻R3、R6和一支PMOS金属氧化物半导体场效应晶体管V1组成,电阻R3和R6的公共端与PMOS管V1的栅极相接,电阻R3另一端与输入电源Vin及PMOS金属氧化物半导体场效应晶体管V1漏极相接,电阻R6另一端与三极管V3的集电极相接,PMOS金属氧化物半导体场效应晶体管V1源极与浪涌抑制电路的输出FAN+相接,输入电源Vin通过电阻R3和电阻R6分压来控制V1的导通和关断,最终将V1源极电压钳位在可允许的范围内。

2.如权利要求1所述的一种航空变换器的浪涌抑制电路,其特征在于,阀值调节电阻R5和R8为分压电阻对,Vref=VFAN+×R8/(R5+R8),通过调节阀值调节电阻R5和R8之间的比例以获得期望浪涌抑制电压;PMOS金属氧化物半导体场效应晶体管V1栅极电阻R3和R6为分压电阻对,VG=Vin×R6/(R6+R3),通过调节电阻R3和R6之间的比例可获得PMOS金属氧化物半导体场效应晶体管V1理想栅极电压。

3.如权利要求2所述的一种航空变换器的浪涌抑制电路,其特征在于,分压电阻对中R3=R6=R2。

4.如权利要求3所述的一种航空变换器的浪涌抑制电路,其特征在于,所述V1源极电压钳位在可允许的范围为不大于31V。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津航空机电有限公司,未经天津航空机电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811327875.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top