[发明专利]超疏水分离膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种超疏水分离膜，其特征在于，该超疏水分离膜包括基底和负载在基底上的纳米片，所述纳米片由无机-有机配位聚合物形成，所述无机-有机配位聚合物由过渡元素和有机羧酸配位构成，

其中，所述过渡元素为Ni或Zn；

所述基底为多孔载体，

其中，所述纳米片的尺寸大小为1.8-12μm，所述纳米片的厚度为1.9-10nm；

所述基底的孔径为5-80μm；

以所述超疏水分离膜的总重量为基准，所述纳米片的含量为3-9.5重量%。

2.根据权利要求1所述的超疏水分离膜，其中，所述有机羧酸为5-叔丁基-1,3-苯二甲酸、1,4-对苯二甲酸、4,4’-联苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,4-萘二甲酸、对三联苯-4,4’-二羧酸和反-1,6-己二烯二酸中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的超疏水分离膜，其中，所述过渡元素为Ni，所述有机羧酸为5-叔丁基-1,3-苯二甲酸。

4.根据权利要求1或2所述的超疏水分离膜，其中，所述有机羧酸含有功能化官能团，所述功能化官能团为-CH₃、-CHO、-COOH、-COOCH₃、-NO₂、-NH₂、-SO₃H、-OH、-COCH₃、-COCH₂CH₃、-COC(CH₃)＝CH₂、-CO-OC(CH₃)₃、-NHCOCH₃、-NHCOCH₂CH₃、-NHCOC(CH₃)＝CH₂和-NHCO-OC(CH₃)₃中的一种或多种。

5.一种超疏水分离膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1）准备无机-有机配位聚合物晶体的步骤；

2）从所述无机-有机配位聚合物晶体中剥离纳米片的步骤；

3）将含有纳米片的悬浮液与多孔基底进行接触并除去溶剂的步骤，

其中，所述无机-有机配位聚合物由过渡元素和有机羧酸配位构成，

所述过渡元素为Ni或Zn；

其中，所述纳米片的尺寸大小为1.8-12μm，所述纳米片的厚度为1.9-10nm；

所述基底为多孔载体，所述基底的孔径为5-80μm；

以所述超疏水分离膜的总重量为基准，所述纳米片的含量为3-9.5重量%。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述有机羧酸为5-叔丁基-1,3-苯二甲酸、1,4-对苯二甲酸、4,4’-联苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,4-萘二甲酸、对三联苯-4,4’-二羧酸和反-1,6-己二烯二酸中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述过渡元素为Ni，所述有机羧酸为5-叔丁基-1,3-苯二甲酸。

8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其中，所述有机羧酸含有功能化官能团，所述功能化官能团为-CH₃、-CHO、-COOH、-COOCH₃、-NO₂、-NH₂、-SO₃H、-OH、-COCH₃、-COCH₂CH₃、-COC(CH₃)＝CH₂、-CO-OC(CH₃)₃、-NHCOCH₃、-NHCOCH₂CH₃、-NHCOC(CH₃)＝CH₂和-NHCO-OC(CH₃)₃中的一种或多种。