[发明专利]衬底支架、光刻装置、器件制造方法和制造衬底保持器的方法

权利要求书

1.一种衬底保持器，包括：

主体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及

多个第一突节，设置在所述第一表面、并且具有用于接触衬底的端表面；以及

在第二表面的多个第二突节；

其中所述突节包括复合材料，所述复合材料包括：(i)含有金刚石微粒的微粒组分；以及ii)在其内具有所述微粒组分的基质组分。

2.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述金刚石微粒被布置成接触所述衬底。

3.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述衬底通过真空或者静电进行夹持。

4.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述基质组分包括硅和碳化硅。

5.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述基质组分包括碳化硅。

6.根据权利要求1所述的衬底保持器，其中所述微粒组分包括SiC。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的衬底保持器，其中所述主体或者所述突节的另一部分包括与所述复合材料不同的材料，并且所述不同的材料接触所述突节的所述复合材料。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的衬底保持器，包括SiSiC。

9.一种光刻仪器，包括：

支撑结构，被配置为支撑图案化器件；

投影系统，被布置为将所述图案化器件所图案化的光束投射到衬底上；以及

根据权利要求1-8中任一项所述的衬底保持器。

10.一种半导体衬底的处理制品，包括具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的主体，并且包括在所述第一表面和所述第二表面的突节；所述突节包括复合材料，所述复合材料包括：(i)含有金刚石微粒的微粒组分；以及ii)在其内具有所述微粒组分的基质组分。

11.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其中所述金刚石微粒被布置为接触半导体衬底。

12.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其从由真空衬底保持器、静电保持器和真空衬底台构成的组中选择。

13.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其中所述基质组分包括硅和碳化硅。

14.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其中所述基质组分包括碳化硅。

15.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其中所述制品的所述第一表面包括多个突节，以最小化衬底接触面积。

16.根据权利要求10所述的半导体衬底的处理制品，其中微粒组分包括SiC。

17.根据权利要求10-16中任一项所述的半导体衬底的处理制品，其中所述制品的在所述第二表面处的部分被配置为接触所述半导体衬底，并且所述制品包括与所述复合材料不同的材料，所述不同的材料接触所述部分的所述复合材料。

18.根据权利要求10-16中任一项所述的半导体衬底的处理制品，包括SiSiC。

19.一种衬底处理制品，包括第一突节，所述第一突节被配置成在所述制品的第一侧接触衬底，所述第一突节包括复合材料，所述复合材料包括分布在基质中的金刚石微粒，并且所述衬底处理制品包括在所述制品的与所述第一侧相对的第二侧的第二突节，所述第二突节包括所述复合材料。