[发明专利]侦测晶圆键合缺陷的方法和装置有效
| 申请号： | 201811322355.7 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109461670B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭松辉;沈新林;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侦测 晶圆键合 缺陷 方法 装置 | ||
1.一种侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，包括：
将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；
在所述压电元件的发射端输入第一信号；
对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；
在键合过程中，所述压电元件的接收端输出第二信号，将所述第二信号与基准信号进行对比，以检测晶圆键合的缺陷及位置，其中所述基准信号为正常键合时接收端输出的信号。
2.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述若干压电元件的数量和分布位置与晶圆尺寸和/或检测精确度需求相关。
3.如权利要求2所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述压电元件均匀分布在所述晶圆承载盘上。
4.如权利要求2述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述压电元件的数量为9～121。
5.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述第一信号为简谐信号、瞬变信号或随机信号。
6.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述第一晶圆和第二晶圆分别为载片晶圆和器件晶圆，或者，所述第一晶圆和第二晶圆分别为像素晶圆和逻辑晶圆，或者，所述第一晶圆和第二晶圆均为器件晶圆。
7.一种侦测晶圆键合缺陷的装置，其特征在于，包括：晶圆承载盘、若干压电元件、信号输入端、控制单元和信号输出端；
所述若干压电元件分布在所述晶圆承载盘上，所述压电元件内置发射端和接收端；
所述信号输入端通过所述控制单元与所述发射端连接，所述信号输出端与所述接收端连接，并在键合过程中读取所述接收端输出的第二信号；
所述控制单元用于在键合过程中，控制所述信号输入端向所述发射端输入第一信号；
通过将所述第二信号与基准信号进行对比，以检测晶圆键合的缺陷及位置，其中所述基准信号为正常键合时接收端输出的信号。
8.如权利要求7所述的侦测晶圆键合缺陷的装置，其特征在于，所述若干压电元件的数量和分布位置与晶圆尺寸和/或检测精确度需求相关。
9.如权利要求8所述的侦测晶圆键合缺陷的装置，其特征在于，所述压电元件均匀分布在所述晶圆承载盘上。
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