[发明专利]表面处理方法

权利要求书

1.一种表面处理方法，其特征在于，包括：

在基底表面涂覆并形成第一涂层；

对覆有所述第一涂层的基底进行水冷打磨处理；

对覆有所述第一涂层并经过所述水冷打磨处理的基底进行真空脱水处理，以排除吸附在所述第一涂层中的水分；

在覆有所述第一涂层并经过所述真空脱水处理的基底表面涂覆并形成第二涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对覆有所述第一涂层的基底进行水冷打磨处理包括：

对覆有所述第一涂层的基底进行水冷打磨处理，并对经过所述水冷打磨处理的基底进行烘干处理，所述烘干处理的温度在50～90℃范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对覆有所述第一涂层并经过所述水冷打磨处理的基底进行真空脱水处理包括：

在小于或者等于1×10^-3torr的真空度范围内对覆有所述第一涂层并经过所述水冷打磨处理的基底进行真空脱水处理，以使吸附在所述第一涂层中的水分受到真空负压作用而脱附。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述第二涂层之前，所述方法还包括：

采用真空镀膜法在覆有所述第一涂层并经过所述真空脱水处理的基底表面沉积氧化物薄膜，以提高所述第一涂层与所述第二涂层之间的结合强度。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化物薄膜包括氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化铝薄膜、氧化钛薄膜、以及氧化镁薄膜中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为金属基底。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述第一涂层之前，所述方法还包括：

对所述基底进行电化学氧化处理，以增大所述基底的表面活性；

对经过所述电化学氧化处理的基底进行浸渍处理，即将所述基底浸泡在含有小分子有机物链接剂的有机溶液中；

在经过所述浸渍处理的基底表面涂覆前处理剂，所述前处理剂包括环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括塑胶基底、陶瓷基底或者玻璃基底。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述第一涂层之前，所述方法还包括：

对所述基底进行等离子体处理，以增大所述基底的表面活性；

在经过所述等离子体处理的基底表面涂覆前处理剂，所述前处理剂包括热塑性丙烯酸。

10.根据权利要求7或9所述的方法，其特征在于，所述在基底表面涂覆并形成第一涂层包括：

对覆有所述前处理剂的基底进行烘干处理，并在覆有所述前处理剂并经过所述烘干处理的基底表面涂覆并形成所述第一涂层。

11.一种移动终端外壳，其特征在于，采用权利要求1-10任一项所述的方法进行表面处理。