[发明专利]钴靶坯的制作方法在审
| 申请号： | 201811319501.0 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111155060A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;王学泽;黄东长 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钴靶坯 制作方法 | ||
1.一种钴靶坯的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供钴锭，将所述钴锭进行热轧工艺，形成初级钴靶坯；
将热轧工艺后的所述初级钴靶坯进行退火处理；
将退火处理后的所述初级钴靶坯进行冷轧工艺。
2.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述热轧工艺控制每次轧制变形量为10％-15％，总轧制变形量大于或等于80％。
3.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述退火处理工艺温度为600℃-700℃，保温时间为60min-120min。
4.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述冷轧工艺控制变形量为15％-20％。
5.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，还包括步骤：将冷轧工艺后的所述初级钴靶坯进行加工，形成钴靶坯。
6.如权利要求5所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述加工处理为立轴圆台平面磨床加工。
7.如权利要求6所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，所述立轴圆台平面磨床加工控制转速为900r/min-1000r/min，进给量为0.05mm/min-0.1mm/min。
8.如权利要求1所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，将所述钴锭进行热轧工艺之前，还包括步骤：对所述钴锭进行2-3次锻造工艺。
9.如权利要求8所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，每次对所述钴锭进行锻造工艺前，包括步骤：对所述钴锭进行预热，预热温度为850℃-950℃。
10.如权利要求8所述钴靶坯的制作方法，其特征在于，每次对所述钴锭进行锻造工艺后，对所述钴锭进行退火处理。
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