[发明专利]薄膜覆晶封装结构

说明书

一种薄膜覆晶封装结构，用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。导电层形成于可挠性基板上。电镀层形成于导电层上且具有一开口区。防焊层形成于电镀层上并通过开口区与导电层相连。防焊层为单层结构。薄膜覆晶封装结构定义有弯折区。弯折区涵盖于开口区内且弯折区小于或等于开口区。当薄膜覆晶封装结构的弯折区进行弯折时，弯折区内无任何电镀层存在，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。

技术领域

本发明与晶片封装有关，尤其是关于一种薄膜覆晶(Chip on film,COF)封装结构。

背景技术

请参照图1，图1为传统的薄膜覆晶封装结构的示意图。如图1所示，于传统的薄膜覆晶封装结构1中，对应于弯折区BA的迭层结构由下往上依序是可挠性基板10、导电层12、电镀层14及防焊层16。

然而，当传统的薄膜覆晶封装结构1的弯折区BA进行弯折时，由于可挠性基板10具有一定的厚度，再加上导电层12上镀有电镀层14，均会造成传统的薄膜覆晶封装结构1的弯折区BA的耐弯折特性不够理想，仍有相当大的改善空间。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种薄膜覆晶封装结构，以有效解决背景技术所遭遇到的上述种种问题。

根据本发明的一具体实施例为一种薄膜覆晶封装结构。于此实施例中，薄膜覆晶封装结构用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。导电层形成于可挠性基板的第一面上。电镀层形成于导电层上且具有一开口区。防焊层形成于电镀层上并通过开口区与导电层相连。防焊层为单层结构。薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区。弯折区涵盖于开口区内且弯折区小于或等于开口区。当薄膜覆晶封装结构的弯折区进行弯折时，弯折区内无任何电镀层存在，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。

于一实施例中，可挠性基板由聚亚酰胺(polyimide,PI)或其他可挠性材料构成。

于一实施例中，导电层由铜(Copper)或其他导电材料构成。

于一实施例中，电镀层由锡(Tin)或其他电镀材料构成。

于一实施例中，可挠性基板具有一第一厚度，位于弯折区内的可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的应力释放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。

于一实施例中，应力释放部形成于可挠性基板的第二面上，且第二面与第一面彼此相对。

于一实施例中，应力释放部通过镭射切断或湿式蚀刻的方式形成。

于一实施例中，位于弯折区内的导电层所形成的线路包含至少一非直线图样。

于一实施例中，该至少一非直线图样为蛇形图样或钻石形图样。

根据本发明的另一具体实施例为一种薄膜覆晶封装结构。于此实施例中，薄膜覆晶封装结构用以封装晶片。薄膜覆晶封装结构包含可挠性基板、导电层、电镀层及防焊层。可挠性基板具有第一厚度。导电层形成于可挠性基板的第一面上。电镀层形成于导电层上。防焊层形成于电镀层上。薄膜覆晶封装结构定义有一弯折区。位于弯折区内的可挠性基板形成有一应力释放部，至少一部分的应力释放部具有一第二厚度，且第二厚度小于第一厚度，致使弯折区的耐弯折特性获得提升。

相较于背景技术，根据本发明的薄膜覆晶封装结构针对其弯折区内的迭层结构进行改善，使得弯折区内无任何电镀层存在及/或弯折区内至少一部分的可挠性基板的厚度变薄，均可有效提升薄膜覆晶封装结构的弯折区的耐弯折特性。此外，位于弯折区内的导电层所形成的线路包含非直线图样，亦可增加弯折区的耐弯折性。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1为传统的薄膜覆晶封装结构的示意图。