[发明专利]一种晶体电路布局的静电防护结构有效
| 申请号： | 201811314433.9 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109548269B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 罗进宇;许传停;张坤;冯杰 | 申请（专利权）人： | 晶晨半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 电路 布局 静电 防护 结构 | ||
1.一种晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，包括晶体焊接区及负载电容焊接区，所述负载电容焊接区包括第一负载电容焊接区和第二负载电容焊接区；
所述第一负载电容焊接区的接地焊盘和所述第二负载电容焊接区的接地焊盘相邻设置；
所述第一负载电容焊接区的接地焊盘和所述第二负载电容焊接区的接地焊盘形成在第一金属导体区域上；
所述晶体焊接区包括一接地区域，所述第一负载电容的接地焊盘和所述接地区域形成在第二金属导体区域上；
所述第二负载电容的接地焊盘和所述接地区域形成在第三金属导体区域上；
所述第一负载电容的接地焊盘、所述第二负载电容的接地焊盘和所述接地区域形成在同第四金属导体区域上；
所述第一金属导体区域，所述第二金属导体区域，所述第三金属导体区域以及所述第四金属导体区域共同处于一金属导体层上。
2.如权利要求1所述的晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，所述第一负载电容焊接区和所述第二负载电容焊接区设置在所述晶体焊接区的一侧。
3.如权利要求1所述的晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，还包括一第一反馈电阻焊接区，所述第一反馈电阻焊接区和所述第一负载电容焊接区相邻设置。
4.如权利要求3所述的晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，所述第一反馈电阻焊接区设置于所述第一负载电容焊接区背向所述晶体焊接区的一侧。
5.如权利要求1所述的晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，还包括一第二反馈电阻焊接区，所述第二反馈电阻焊接区和所述第二负载电容焊接区相邻设置。
6.如权利要求5所述的晶体电路布局的静电防护结构，其特征在于，所述第二反馈电阻焊接区设置于所述第二负载电容焊接区背向所述晶体焊接区的一侧。
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