[发明专利]一种带电压检测的POR电路有效
| 申请号: | 201811314396.1 | 申请日: | 2018-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN109257036B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 谷洪波 | 申请(专利权)人: | 湖南品腾电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;G01R19/165;G01R1/30 |
| 代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 叶碧莲 |
| 地址: | 410000 湖南省长沙市高新开*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电压 检测 por 电路 | ||
1.一种带电压检测的POR电路,其特征在于,包括:脉冲产生电路、电压检测电路和滤波电路;其中,所述脉冲产生电路用于在电源上电时产生一个正脉冲信号;所述电压检测电路用于检测电源电压;所述滤波电路用于滤除上电过程中可能产生的尖峰毛刺;
所述POR电路中的所述脉冲产生电路和所述电压检测电路的具体结构为:第一PMOS管的源极连接电源VDD,栅极连接第二PMOS管的栅极和地端,漏极接所述第二PMOS管的源极,所述第二PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极和栅极、第一电容的下极板、第三PMOS管的栅极以及第八NMOS管的漏极,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一电容的上极板接电源VDD,所述第八NMOS管的栅极和源极短接后接地,所述第三PMOS管的源极接电源VDD,所述第三PMOS管的漏极接第二NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第二电容的上极板、第四PMOS管的栅极以及第七NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极以及第四NMOS管的栅极短接后连接到电源VDD,所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极、所述第五NMOS管的源极以及第六NMOS管的漏极,所述第三NMOS管的源极连接所述第六NMOS管的源极以及所述第四NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极接地,所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极分别连接至检测电压调节端V1和V0,所述第二电容的下极板接地,所述第四PMOS管的源极连接电源VDD,所述第七NMOS管的源极接地,所述第四PMOS管的漏极连接所述第七NMOS管的漏极并作为脉冲产生电路的脉冲输出端与滤波电路输入端连接。
2.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述电压检测电路用于检测电源电压,具体为:当电源电压低于电压检测电路设定值时输出高电平,当电源电压高于设定值时输出低电平。
3.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述脉冲产生电路和所述电压检测电路由四个PMOS管、八个NMOS管和两个电容组成;由两个PMOS管、两个NMOS管和一个电容组成;所述电压检测电路由一个PMOS管、和5个NMOS管组成;所述滤波电路由三个反相器、一个或非门和一个电容组成。
4.根据权利要求1所述的POR电路,其特征在于:所述电压检测电路还包括检测电压调节端,用于控制电压检测点的电压值。
5.根据权利要求1至4任一项所述的POR电路,其特征在于:所述POR电路中的所述滤波电路的具体结构为:第一反相器的输入端作为滤波电路的输入端与脉冲产生电路的输出端连接,所述第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端以及或非门的一个输入端,所述第二反相器的输出端连接第三电容的上极板以及第三反相器的输入端,所述第三电容的下极板接地,所述第三反相器的输出端连接所述或非门的另一个输入端,所述或非门的输出端作为整个POR电路的输出端。
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