[发明专利]一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机及制备方法在审
申请号: | 201811314230.X | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109560148A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 余璇;陈立桥;龙运前;冷哲;张挥球;胡金飞 | 申请(专利权)人: | 浙江海洋大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 316022 浙江省舟山市普陀海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 柔性基板 纳米发电机 氧化亚铜薄膜层 银纳米线导电层 纳米结构薄膜 氧化锌纳米柱 空穴传输层 薄膜层 保护层 底电极 电极层 活性层 电极 金顶 制备氧化锌薄膜 制备氧化锌纳米 氧化锌薄膜层 导电薄膜层 金属电极 银纳米线 铜线 柱阵列 沉淀 复合 | ||
一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机及制备方法,所述纳米发电机包括一柔性基板,所述的柔性基板上自下而上依次制备有:1)银纳米线导电薄膜层,并构成由柔性基板/银纳米线导电层薄膜层复合的底电极;2)在所述柔性基板/银纳米线导电层薄膜层之上制备氧化锌薄膜层;3)在所述氧化锌薄膜层之上制备氧化锌纳米柱阵列,获得柔性的氧化锌纳米柱阵列;4)在所述氧化锌纳米柱阵列之上通过沉淀方法制备氧化亚铜薄膜层;5)在所述氧化亚铜薄膜层上制备空穴传输层/活性层保护层;6)在所述空穴传输层/活性层保护层上面制备金顶电极层;7)在底电极和金顶电极层两个金属电极之间用铜线连接。
技术领域
本发明涉及一种基于纳米结构电极的纳米发电机制备方法,具体涉及一种柔性衬底/银纳米线/氧化锌种子层/氧化锌纳米柱/P3HT/金电极结构的纳米发电机及制备方法,属于纳米发电机技术领域。
背景技术
作为二十一世纪的重要高新科技领域,纳米发电机正经历前所未有的高速发展期。目前的纳米发电机可以包括压电纳米发电机和摩擦纳米发电机。压电纳米发电机的基本原理是纳米线在外力拉伸或压缩是,纳米线中产生压电势能,相应的瞬变电流在两端流动以平衡费米能级,从而产生电能。
纳米发电机的底电极通常采用柔性基底通过溅射或真空沉积制备的ITO薄膜作为底电极,柔性ITO薄膜方法制备复杂,价格昂贵,且ITO薄膜的抗弯折性能不佳,通常弯折数百次后ITO薄膜电学性能显著下降。
发明内容
本发明目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种低成本,实用性强,易于大规模生产的基于纳米结构电极的纳米发电机及制备方法。
本发明的目的是通过如下技术方案来完成的,一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机,它包括一柔性基板,所述的柔性基板上自下而上依次制备有:
1)银纳米线导电薄膜层,并构成由柔性基板/银纳米线导电层薄膜层复合的底电极;
2)在所述柔性基板/银纳米线导电层薄膜层之上制备氧化锌薄膜层;
3)在所述氧化锌薄膜层之上制备氧化锌纳米柱阵列,获得柔性的氧化锌纳米柱阵列;
4)在所述氧化锌纳米柱阵列之上通过沉淀方法制备氧化亚铜薄膜层;
5)在所述氧化亚铜薄膜层上制备空穴传输层/活性层保护层;
6)在所述空穴传输层/活性层保护层上面制备金顶电极层;
7)在底电极和金顶电极层两个金属电极之间用铜线连接,通过导电浆料将铜丝焊接,采用环氧树脂封装焊接处,封装后连接至载体,即完成基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机。
作为优选:所述柔性基板采用聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)中的一种作为柔性衬底;
所述银纳米线的平均长度为3-200微米,银纳米线平均直径为20-200纳米,银纳米线薄膜平均厚度是200-2000nm,银纳米线薄膜的方块电阻为20-300Ω/Sq;
所述氧化锌薄膜厚度是15-300nm,上述银纳米线/氧化锌薄膜的方块电阻低于30欧姆Ω/Sq;
所述氧化锌纳米柱高度范围在500nm-6000nm,氧化锌纳米柱直径为50-200 nm,氧化锌纳米阵列间距为50-100nm;
所述氧化亚铜薄膜层或空穴传输层/活性层保护层的厚度是10-150nm;
所述金顶电极层厚度范围为30-100nm;
所述铜线采用导电浆料焊接至电极,导电浆料包括导电硅胶,导电碳胶,导电银浆,导电浆料焊接电极后可采用100-150℃加热10-30分钟固化焊接点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的