[发明专利]一种新型管式PECD石墨舟卡点

说明书

本发明公开了一种新型管式PECD石墨舟卡点，包括卡点底座、卡点轴以及卡点帽，所述卡点底座两侧对称固定有卡点轴，所述卡点轴远离卡点底座一端固定连接有卡点帽，所述卡点底座与卡点轴之间设置有卡点槽，所述卡点槽开设于卡点轴上；所述卡点帽设置为三角形，所述卡点槽开设为O型，且卡点槽分别开设于三角形的三个顶点处。本发明的O型卡点槽比起U型卡点槽，硅片能与石墨舟片贴合的更加紧密，极大减小硅片与卡点底座之间的空隙，从而减少特气流绕镀到硅片背面，为此可降低正膜边缘卡点绕镀印，改善正膜膜色，提高正膜的片内颜色的均匀性，进一步满足市场对高标准外观膜色的要求，值得推广。

技术领域

本发明涉及单晶硅电池片表面减反射膜的制造技术领域，具体为一种新型管式PECD石墨舟卡点。

背景技术

在光伏太阳能行业，单晶太阳能电池的制造要经过制绒，扩散，SE，刻蚀，退火，镀膜(背钝化、背膜、正膜)，激光，丝网印刷和烧结九道工序。其中镀膜工序，背面首先沉积一定厚度的氧化铝，然后在硅片上镀氮化硅膜，目的为增强硅片背表面钝化作用，提高了电池的少子寿命及增强了背面的反射率，以提高UOC/ISC，从而提升光电转换效率。

目前在单晶硅电池片背表面制作的减反射膜，普片采用具有良好的减反射和表面钝化作用的氮化硅膜，在太阳能电池生产工艺中，普遍采用PECVD(等离子体增强型化学气相沉积)的方式进行镀氮化硅膜。管式PECVD对硅片镀膜，硅片通过手动或者机械手形式插入石墨舟内，然后石墨舟放于炉管中镀膜。但是现有的PECVD背镀膜因绕镀造成硅片正表面出现色差问题，色差问题不仅影响电池片合格率，返工造成大量物料浪费，还会降低电池片效率。

目前市场主要两种卡点槽：V型与U型，V型卡点槽的形状如说明书附图1所示，U型卡点槽的形状如说明书附图2所示，且现有的V型卡点槽和U型卡点槽的卡点帽结构均如说明书附图3所示，其中：V型卡点槽的槽内尺寸较小，在插片过程中硅片易造成划伤，另因V型卡点槽空间细小易因沉积氮化硅而导致插取片过程崩边或缺角，影响产品合格率；U型卡点槽的槽体位置及卡点帽斜度增大，相对减少了划伤、崩边问题；但是，其槽体为平行设计，硅片放置滑落槽低与舟叶吻合度不高，则气流会绕镀到正膜，对应正膜边缘卡点会形成绕镀印，影响正膜外观。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型管式PECD石墨舟卡点，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种新型管式PECD石墨舟卡点，包括卡点底座、卡点轴以及卡点帽，所述卡点底座两侧对称固定有卡点轴，所述卡点轴远离卡点底座一端固定连接有卡点帽，所述卡点底座与卡点轴之间设置有卡点槽，所述卡点槽开设于卡点轴上；

所述卡点帽设置为三角形，所述卡点槽开设为O型，且卡点槽分别开设于三角形的三个顶点处。

优选的，所述卡点帽的厚度设置在0.55-1mm之间。

优选的，所述卡点槽的宽度设置在0.35-0.5mm之间。

优选的，所述卡点底座、卡点轴以及卡点帽为一体成型结构。

优选的，所述卡点底座和卡点帽的中心轴均处于同一基准线上。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明中O型卡点槽的设置有利于减缓硅片从卡点帽测划向卡点槽底部的撞击力，降低崩边、缺角及碎片率；

2、本发明增加O型卡点槽的半径宽度可降低因插不到位而导致的划伤；

3、本发明卡点帽厚度的增加，可有效保护卡点尖的磨损及意外触碰导致的损坏，增加卡点使用寿命及减少产线返修率；