[发明专利]一种电磁屏蔽膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811313412.5 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN109743872A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 张文杰 申请(专利权)人: 睿惢思工业科技(苏州)有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 代理人: 王新爱
地址: 215000 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电磁屏蔽膜 导电网栅 暗化 制备 透明基底表面 化学反应 网格状凹槽 导电银浆 气体氛围 均匀度 批量化 良率 固化 填充 制作
【说明书】:

本发明公开了一种电磁屏蔽膜的制备方法,包括在透明基底表面制作网格状凹槽,并将导电银浆填充凹槽内固化形成导电网栅;利用气体与导电网栅表面发生化学反应形成暗化层。通过上述方式,本发明不仅降低了电磁屏蔽膜表面的可见度,而且只需将电磁屏蔽膜置于气体氛围中就可完成暗化,均匀度高,外观良率高,且工艺简单,适合批量化。

技术领域

本发明涉及电磁屏蔽膜领域,特别是涉及一种电磁屏蔽膜的制备方法。

背景技术

随着电子工业的发展和电子设备的广泛应用,电磁波辐射被认为是继水污染、噪音污染、空气污染后的第四大公害。高频电磁波不仅会导致电子器件的非正常运转,影响甚至破坏军事设备的敏感器件,因而威胁到国家的军事机密,而且还能影响到人们的正常生活,例如可能诱发某些疾病,如睡眠不足、头晕、心血管疾病等。因此,电磁屏蔽材料的研究开发一直备受各国学术界和工业界的广泛关注。

现有电磁屏蔽分别存在以下几个问题:一,使用ITO透明薄膜,铟元素比较稀缺,价格昂贵,原材料成本太高;二,ITO薄膜比较脆,柔韧性较差,在弯曲60度以上就会断裂破损;三,金属或者合金多层(比如Ag,NiCr等)虽然导电性好,但是透过率低,而且沉积过程比较慢,真空工艺复杂,导致生产成本高;四,透明度比较低,而且不能够任意调节。

中国发明专利CN201010533228.9,一种透明导电膜及其制作方法,描述了一种基于纳米压印和纳米涂布的方法实现的透明导电膜,通过纳米压印形成沟槽,在沟槽中填充纳米导电材料,再烧结使导电材料中的金属颗粒聚集形成导电网栅结构。该方案为了使导电性能最佳,可采用纳米银浆低温烧结形成网栅结构,但导电银呈黄色,光反射严重影响视觉外观,并且裸露于空气久会产生色变。

中国发明专利CN104571676A描述了一种网栅暗化的方法,通过在网栅上面添加碳黑、四氧化三铁或氧化铜等降低导电层的可见度。但在涂覆暗化层时易出现不均匀或划伤等不良现象,并且工艺步骤多,影响生产。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种电磁屏蔽膜的制备方法,能够简单方便可批量化制备电磁屏蔽膜,且电磁屏蔽膜良率高。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种电磁屏蔽膜的制备方法,包括以下步骤:在透明基底表面制作凹槽结构层,凹槽结构层上分布有网格状凹槽;将导电银浆填充在网格状凹槽内固化形成导电网栅;利用气体与导电网栅表面发生化学反应形成暗化层。

进一步,所述导电网栅的线宽度1~20um,厚度1~20um。

进一步,所述网格状凹槽通过压印制得。

进一步,所述气体为氧气与硫化氢混合物。

进一步,所述网格状凹槽的图形为六边形、菱形或无规则形。

本发明的有益效果是:本发明不仅降低了电磁屏蔽膜表面的可见度,而且只需将电磁屏蔽膜置于气体氛围中就可完成暗化,均匀度高,外观良率高,且工艺简单,适合批量化。

附图说明

图1是本发明一种电磁屏蔽膜的制备方法的流程;

图2是所示一种电磁屏蔽膜的制备方法制得的电磁屏蔽膜的剖视结构示意图。

附图中各部件的标记如下:1、基底;2、凹槽结构层;3、导电网栅;4、暗化层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1和图2,本发明实施例包括:

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