[发明专利]以多种半导体技术实施的多级功率放大器

权利要求书

1.一种多级放大器，其特征在于，包括：

第一管芯，其包括III-V半导体基板、第一射频(RF)信号输入端、第一RF信号输出端和第一晶体管，其中所述第一晶体管具有电耦合到所述第一RF信号输入端的控制端，和电耦合到所述第一RF信号输出端的电流承载端；

第二管芯，其包括第二类型的半导体基板、第二RF信号输入端、第二RF信号输出端、第一次级电路，以及所述第二RF信号输入端和所述第二RF信号输出端之间的放大路径，其中所述放大路径包括具有控制端和电流承载端的第二晶体管，所述第二晶体管的所述控制端电耦合到所述第二RF信号输入端，且所述第二晶体管的所述电流承载端电耦合到所述第二RF信号输出端，且其中所述第一次级电路电耦合到所述第一晶体管的所述控制端，且所述第一次级电路是选自末级偏压电路和末级谐波控制电路；以及

第一连接，其电耦合于所述第二RF信号输出端和所述第一RF信号输入端之间。

2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述第二管芯进一步包括被配置成电耦合到外部偏压电压源的第一次级电路端，且

所述第一次级电路是所述末级偏压电路，其电耦合于所述第一次级电路端和所述第二RF信号输出端之间。

3.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述第二管芯进一步包括第一次级电路端，

所述放大器进一步包括电耦合于所述第一次级电路端和所述第一晶体管之间的第二连接，且

所述第一次级电路是所述末级谐波控制电路，其电耦合于所述第一次级电路端和接地节点之间。

4.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二管芯进一步包括：

级间阻抗匹配电路的集成部分，其电耦合于所述第二晶体管的所述电流承载端和所述第二RF信号输出端之间，其中所述第一连接是所述级间阻抗匹配电路的非集成部分。

5.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一管芯包括GaN场效应晶体管(FET)，且所述第二晶体管包括硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应晶体管(FET)。

6.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第一管芯包括GaN场效应晶体管(FET)，且所述第二晶体管包括硅互补金属氧化物半导体(CMOS)级联堆叠。

7.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，进一步包括：

无引线半导体装置封装，其包括导电基板、第一焊盘和第二焊盘，其中所述第一和第二管芯连接到所述导电基板；

第二连接，其电耦合于所述第一焊盘和所述第二RF输入端之间；以及

第三连接，其电耦合于所述第一RF输出端和所述第二焊盘之间。

8.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，进一步包括：

印刷电路板，所述第一和第二管芯耦合到所述印刷电路板，其中所述印刷电路板包括第一端和第二端；

第二连接，其电耦合于所述第一端和所述第二RF输入端之间；以及

第三连接，其电耦合于所述第一RF输出端和所述第二端之间。

9.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于：

所述放大器是包括主放大器和峰值放大器的多尔蒂功率放大器，且

所述主放大器包括所述第一和第二管芯，其中所述第二管芯的所述第二RF信号输入端对应于主放大器输入，且所述第一管芯的所述第一RF信号输出端对应于主放大器输出。

10.根据权利要求9所述的放大器，其特征在于，进一步包括：

所述峰值放大器，其包括峰值放大器输入和峰值放大器输出；

基板，所述主放大器和峰值放大器耦合到所述基板；以及

相移元件，其电耦合于所述第一管芯的所述第一RF信号输出端和所述峰值放大器输出之间。