[发明专利]具有波纹状结构层的OLED器件及制备方法和应用在审
申请号: | 201811312133.7 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN111146365A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 郑江波 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄菲 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 波纹 结构 oled 器件 制备 方法 应用 | ||
本发明涉及一种具有波纹状结构层的OLED器件及制备方法和应用。该制备方法包括:取刚性基底,在所述刚性基底上涂聚合物材料,烘烤,形成聚合物材料层;在所述聚合物材料层表面蒸镀金属形成金属层,冷却,UV固化,获得具有波纹状结构层的衬底;在所述具有波纹状结构层的衬底的金属层表面制备OLED功能层,获得具有波纹状结构层的OLED器件。该工艺中,由于聚合物材料层和金属层存在热膨胀系数差异,所以冷却的过程中,聚合物材料层自然而然的带动金属层收缩形成波纹结构,这样的结构能够提升所得OLED器件的光耦合输出效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种具有波纹状结构层的OLED器件及其制备方法和应用。
背景技术
OLED(有机发光二级管)显示技术由于其优良的发光性能及其广泛的应用前景而得到重视。OLED显示器件按照驱动方式可分为被动式和主动式两种,被动式OLED显示器件主要用于小尺寸、低分辨率显示屏幕,而主动式OLED显示器件为每一个像素配有TFT(薄膜场效应管)开关,可实现中、大尺寸的高清显示,已成为当前OLED显示技术发展的主流。
根据OLED器件的光的出射方向的不同,分为底发射型OLED器件和顶发射型OLED器件。如果从器件基板方向出射发射光,称为底发射型OLED器件;如果从器件背向基板的方向出射反射光,称为顶发射型OLED器件。对于顶发射器件而言,光不是通过基板而是从其反面发出,不会受到TFT和金属线的遮挡。因此,通过这种方式,顶发射器件的开口率相比于底发射器件有明显的提高。
然而无论是顶发射器件还是底发射器件的外量子效率都不算很高,尤其是蓝光材料的OLED器件更低,这严重限制了OLED器件的产业化应用。而OLED器件的外量子效率主要由受两部分影响,一部分是材料内部形成激子辐射后发出光的效率,另一部分是形成的光从器件内部射出到器件外部的效率(也称为光耦合取出效率);并且根据研究发现由激子辐射后发出的光有超过50%被限制在器件内部而损失掉,所以提高器件内部的光子射出器件的效率将能够极大地提高器件的外量子效率。
层状结构的OLED器件的光耦合取出效率比较低的主要原因是由于产生的光子被波导模式和表面等离子模式消耗掉。传统的解决该技术问题的方法主要是提供一种波纹状的器件结构。例如:现有技术公开的不平坦粒子层制备方法、有机电致发光器件和显示装置,该技术方案在基底上形成纳米粒子层;加热基底以使和基底接触的纳米粒子熔融而表面的纳米粒子为固态;冷却基底形成表面不平坦的纳米粒子层;然后再以该不平坦的纳米粒子层制作有机电致发光器件。再例如:现有技术公开的具有顶发射OLED结构的器件,该器件是在硅片基板上依次主要制备阳极、有机功能层和阴极,形成TEOLED结构,其中硅片基板上形成具有圆弧状或塔状的基片绒面。但是,这些传统的波纹状的器件结构在实际应用效果中,光取出效率并不理想。
因此,亟待提供一种光取出效率好的具有波纹状结构层的OLED器件。
发明内容
基于此,本发明的主要目的是提供一种具有波纹状结构层的OLED器件的制备方法,该制备方法相对于传统方法,能够有效提高所得OLED器件的光的耦合输出效率。并且,制备简单、成本很低。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种具有波纹状结构层的OLED器件的制备方法,所述的制备方法包括:
取刚性基底,在所述刚性基底上涂聚合物材料,烘烤,形成聚合物材料层;
在所述聚合物材料层表面蒸镀金属形成金属层,冷却,UV固化,获得具有波纹状结构层的衬底;
在所述具有波纹状结构层的衬底的金属层表面制备OLED功能层,获得具有波纹状结构层的OLED器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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