[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻被加工物的蚀刻方法，其特征在于：

所述被加工物包括基底区域、第一区域和第二区域，

所述第二区域由氮化硅形成，包含第一隆起区域、第二隆起区域和底部区域，其中，所述第一隆起区域和所述第二隆起区域以在所述基底区域上在所述第一隆起区域和所述第二隆起区域之间提供凹部的方式延伸，所述底部区域在该凹部的下侧延伸，

所述第一区域由氧化硅形成，被设置成覆盖所述第二区域，

所述蚀刻方法包括：

对所述第一区域进行蚀刻的步骤；

在所述第一区域被蚀刻之后，对所述底部区域选择性地进行改性而形成改性区域的步骤；和

对所述改性区域进行蚀刻的步骤，

所述对所述第一区域进行蚀刻的步骤包括：

为了在所述第一区域上形成碳氟化合物的沉积物，而生成包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和

为了向在其上形成有所述沉积物的所述被加工物供给稀有气体原子的离子来蚀刻所述第一区域，而生成稀有气体的第一等离子体的步骤，

在所述对所述第一区域进行蚀刻的步骤中，所述沉积物形成在露出的所述第二区域上，该第二区域被所述沉积物保护，

形成在所述第一隆起区域的上表面和所述第二隆起区域的上表面之上的所述沉积物的厚度，大于形成在所述底部区域上的所述沉积物的厚度，

在所述形成所述改性区域的步骤中，生成了含有氢的第二处理气体的等离子体，从该第二处理气体的该等离子体将氢离子供给到所述第一区域被蚀刻后的所述被加工物，

在所述对所述改性区域进行蚀刻的步骤中，包括：

为了在具有所述改性区域的所述被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，而生成包含碳氟化合物气体的第三处理气体的等离子体的步骤；和

为了向具有所述改性区域并在其上形成有所述沉积物的所述被加工物供给稀有气体原子的离子来蚀刻所述改性区域，而生成稀有气体的第二等离子体的步骤，

所述第二处理气体为氢气，或者所述第二处理气体为氢气和氮气的混合气体，或者所述第二处理气体为氢气和稀有气体的混合气体。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

交替反复执行所述形成改性区域的步骤和所述对所述改性区域进行蚀刻的步骤。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述对所述第一区域进行蚀刻的步骤、所述形成改性区域的步骤和所述对所述改性区域进行蚀刻的步骤中，使用等离子体处理装置，

所述等离子体处理装置包括：

提供内部空间的腔室主体；

设置于所述内部空间中的支承座，其包含下部电极，提供被加工物的载置区域，所述载置区域的中心位于所述腔室主体的中心轴线上；

用于产生等离子体生成用的第一高频的第一高频电源；

与所述下部电极电连接的第二高频电源，其用于产生具有比所述第一高频的频率低的频率的第二高频；和

用于在所述内部空间中形成磁场的电磁铁，

至少在生成所述第二处理气体的所述等离子体时，利用所述电磁铁，在所述内部空间中形成如下磁场分布：在该被加工物的边缘侧之上具有比在所述第一区域被蚀刻后的所述被加工物的中心上的水平成分大的水平成分。