[发明专利]一种光学元件的封装结构及封装方法有效
申请号: | 201811308893.0 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109461748B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 陈达 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑星 |
地址: | 315899 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 元件 封装 结构 方法 | ||
1.一种光学元件的封装结构,其特征在于,包括:
基板;
感光芯片,所述感光芯片具有感光区和非感光区,设置于所述基板上并与所述基板电性连接;
滤光片,所述滤光片设置于所述感光芯片的感光区上;
干膜层,所述干膜层设置于所述滤光片与所述感光芯片之间,位于所述感光芯片的非感光区,所述干膜层为具有粘性的光致抗蚀膜;
缓冲层,所述缓冲层设置于所述感光芯片的非感光区,且至少覆盖所述滤光片的侧壁的部分区域及至少还覆盖所述滤光片上表面的部分区域,所述缓冲层的材料包括环氧胶,其中环氧胶包括环氧树脂、橡胶及溶剂,所述缓冲层的拉伸模量小于30MPa,邵氏A硬度小于50;以及
塑封层,所述塑封层设置于所述基板设置有感光芯片的一面,且至少包裹所述感光芯片的非感光区的部分区域及所述缓冲层的部分区域。
2.根据权利要求1所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述光学元件的封装结构还包括:
镜头组件,所述镜头组件设置于所述塑封层背离所述基板的一侧,且对应设置于所述滤光片的上方。
3.根据权利要求1所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述干膜层的厚度小于50μm。
4.根据权利要求3所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述干膜层的形状为环形。
5.根据权利要求3所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述缓冲层覆盖所述滤光片的整个侧壁,还覆盖所述干膜层的外壁。
6.根据权利要求1所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述缓冲层位于所述滤光片侧壁的部分的宽度小于50μm,所述缓冲层位于所述滤光片上表面的部分的厚度小于10μm。
7.根据权利要求1所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述塑封层的上表面不低于所述缓冲层的上表面,且所述缓冲层位于所述滤光片上表面的部分的宽度大于或等于所述塑封层在所述滤光片上表面的部分的宽度。
8.根据权利要求7所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述缓冲层位于所述滤光片上表面的部分的宽度大于30μm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述滤光片为红外截止滤光片。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的光学元件的封装结构,其特征在于,所述基板上还具有被动元件,所述被动元件位于所述感光芯片的一侧,所述感光芯片与所述基板通过导线电性连接,所述被动元件与所述导线均塑封在所述塑封层内。
11.一种光学元件的封装方法,其特征在于,包括:
提供感光芯片,所述感光芯片具有感光区和非感光区,所述感光芯片的非感光区上设置有焊盘,并通过在所述感光芯片功能面的非感光区上形成干膜层,将滤光片通过干膜层贴装在所述感光芯片的感光区上,以在所述感光芯片的感光区上设置滤光片;
之后通过点胶的方式在所述滤光片的侧壁和所述滤光片上表面的部分区域形成胶膜,将喷涂有胶膜的所述感光芯片放入烘烤炉中烘烤,冷却形成位于所述滤光片侧壁和所述焊盘 之间,及所述滤光片上表面的部分区域的缓冲层,以及将所述感光芯片设置在基板上,所述感光芯片与所述基板电性连接;
所述缓冲层材料包括环氧胶,其中环氧胶包括环氧树脂、橡胶及溶剂,所述缓冲层的拉伸模量小于30MPa,邵氏A硬度小于50;
以及
在所述基板上注塑形成塑封层,所述塑封层至少包裹所述感光芯片的非感光区的部分区域及所述缓冲层的部分区域。
12.根据权利要求11所述的光学元件的封装方法,其特征在于,先将所述感光芯片设置在基板上,再在所述感光芯片上形成缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的