[发明专利]一种双层堆叠式微波带通滤波器

权利要求书

1.一种双层堆叠式微波带通滤波器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上金属层(1)、上玻璃基板(2)、中间金属层(3)、下玻璃基板(4)以及下金属层(5)，其中，

所述上金属层(1)的相对侧壁上分别设置有第一金属片(6)和第二金属片(7)；

所述上玻璃基板(2)上设置有多个上玻璃基板通孔(8)，每个所述上玻璃基板通孔(8)的直径为25μm，每个所述上玻璃基板通孔(8)之间的中心间距为50μm，所述上玻璃基板通孔(8)内部填充有第一金属导体柱，其中，

所述第一金属导体柱的两端分别连接所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)，并且与所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)共同形成输入谐振腔(S)、第一阶谐振腔(R1)、第四阶谐振腔(R4)和输出谐振腔(L)，所述第一金属片(6)设置在所述输入谐振腔(S)中，所述第二金属片(7)设置在所述输出谐振腔(L)中；

所述输入谐振腔(S)与所述第一阶谐振腔(R1)之间设置有第一耦合窗口(14)，用于实现所述输入谐振腔(S)与所述第一阶谐振腔(R1)之间的磁耦合；所述第四阶谐振腔(R4)与所述输出谐振腔(L)之间设置有第二耦合窗口(15)，用于实现所述第四阶谐振腔(R4)与所述输出谐振腔(L)之间的磁耦合；

所述中间金属层(3)上设置有第一辐射窗口(9)和第二辐射窗口(10)，所述第一辐射窗口(9)和所述第二辐射窗口(10)均联通所述上玻璃基板(2)和所述下玻璃基板(4)；

所述下玻璃基板(4)上设置有多个下玻璃基板通孔(11)，每个所述下玻璃基板通孔(11)的直径为25μm，每个所述下玻璃基板通孔(11)之间的中心间距为50μm，所述下玻璃基板通孔(11)内部填充有第二金属导体柱，其中，

所述第二金属导体柱的两端分别连接所述中间金属层(3)和所述下金属层(5)，所述第二金属导体柱、所述中间金属层(3)和所述下金属层(5)形成第二阶谐振腔(R2)和第三阶谐振腔(R3)；

所述第二阶谐振腔(R2)与所述第三阶谐振腔(R3)之间设置有第三耦合窗口(16)，所述第三耦合窗口(16)用于实现所述第二阶谐振腔(R2)与所述第三阶谐振腔(R3)之间的磁耦合；

所述第一辐射窗口(9)和所述第二辐射窗口(10)为圆形形状，其中，所述第一辐射窗口(9)位于所述第一阶谐振腔(R1)的下方；所述第二辐射窗口(10)位于所述第四阶谐振腔(R4)的下方；

所述第二阶谐振腔(R2)位于所述第一阶谐振腔(R1)的下方，所述第二阶谐振腔(R2)和所述第一阶谐振腔(R1)通过所述第一辐射窗口(9)实现电耦合；所述第三阶谐振腔(R3)位于所述第四阶谐振腔(R4)的下方，所述第三阶谐振腔(R3)和所述第四阶谐振腔(R4)通过所述第二辐射窗口(10)实现电耦合。

2.根据权利要求1所述的双层堆叠式微波带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)的相对侧壁上分别开设有第一凹槽(12)和第二凹槽(13)，所述第一金属片(6)设置在所述第一凹槽(12)中，所述第二金属片(7)设置在所述第二凹槽(13)中。

3.根据权利要求2所述的双层堆叠式微波带通滤波器，其特征在于，多个所述上玻璃基板通孔(8)呈田字型分布在所述上玻璃基板(2)上。

4.根据权利要求3所述双层堆叠式微波带通滤波器，其特征在于，所述下玻璃基板(4)的长度为所述上玻璃基板(2)的一半，且多个所述下玻璃基板通孔(11)呈日字型分布在所述下玻璃基板(4)上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述双层堆叠式微波带通滤波器，其特征在于，所述上金属层(1)、所述中间金属层(3)、所述下金属层(5)、所述第一金属导体柱和所述第二金属导体柱的材料均为铜。