[发明专利]非隔离升降压电源电路及电源模块

说明书

本发明涉及电源电路技术领域，实施例公开一种非隔离升降压电源电路及电源模块。本申请提供的非隔离升降压电源电路，将两片升降压稳压器并联连接，通过SYNCI、SYNCO两个引脚实现MOSFET同步开关，通过EN引脚实现同步启动，通过EAIN引脚共用反馈电阻实现同步输出电压，该电源电路能够提供宽输入、高功率、稳定可靠的电源，且结构简单适合广泛推广。

技术领域

本发明涉及电源技术领域，具体涉及一种非隔离升降压电源电路及电源模块。

背景技术

非隔离电源是指输入端和负载端之间没有变压器进行电气隔离，直接将输入端和负载端共地，与隔离电源相比有如下优点：1、效率高：一般的非隔离电源效率能达到92％以上，而隔离电源一般只能达到85％左右。在带大功率负载情况下，非隔离电源的发热量更小。2、体积小：由于非隔离电源不需要变压器，所以整个产品尺寸可以做的非常小，在对设计尺寸要求比较高的应用场景中，非隔离电源能起到重要的作用。3、成本低：非隔离电源外围电路简单、器件种类少，设计简单易用，在各类产品中得到广泛的应用。

在一些控制系统场景中，由于控制系统包括大功率的射频功放、步进电机驱动和高主频的ARM处理器，如何设计一款高效、简单、稳定可靠的电源成为急需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种非隔离升降压电源电路及电源模块，能够解决或者至少部分解决上述存在的问题。

为解决以上技术问题，本发明提供的技术方案是一种非隔离升降压电源电路，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2并联连接，其中，

所述第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；

所述第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；

所述第一升降压稳压器N1的EN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；

所述第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；

所述第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；

所述第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。

更优地，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2均采用PI3749升降压稳压器芯片。

更优地，所述电源电路还包括MCU，所述第一升降压稳压器N1的JMON引脚分别电连接MCU的第一ADC引脚和电容C6一端，电容C6另一端接地，所述第二升降压稳压器N2的JMON引脚分别电连接MCU的第二ADC引脚和电容C9一端，电容C9另一端接地。

更优地，所述第一升降压稳压器N1的TRK引脚和所述第二升降压稳压器N2的TRK引脚电连接后连接电容C5一端，电容C5另一端接地。

更优地，所述电源电路还包括与电压输出端电连接的软启动电路，所述软启动电路包括P型MOS管V1和三极管V2，所述电压输出端与所述P型MOS管V1的衬底电连接，所述P型MOS管的衬底与栅极之间并联有电阻R2和电容C4，所述P型MOS管的源极分别连接射频电压输出端和电容C3一端，电容C3另一端接地，所述P型MOS管的栅极通过电阻R8连接到三极管V2的集电极，三极管V2的基集和发射极之间连接有电阻R7，三极管V2的发射极接地，三极管V2的基极通过电阻R6连接到射频电压输出EN信号端。

更优地，所述P型MOS管V1的源极和漏极之间连接有寄生寄生二极管。