[发明专利]研磨方法及研磨装置

权利要求书

1.一种研磨方法，其特征在于，

使配置于距研磨台的中心相同的距离处的第一膜厚传感器及第二膜厚传感器与所述研磨台一起旋转，

通过研磨头将基板按压于旋转的所述研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，

在所述基板的研磨中，所述研磨台每旋转一次时，所述第一膜厚传感器生成表示在所述基板的表面上的、预先确定的多个第一测定点处的膜厚的信号值，并且所述第二膜厚传感器生成表示在所述基板的表面上的、预先确定的多个第二测定点处的膜厚的信号值，从所述基板的中心到所述多个第一测定点的各个距离与从所述基板的中心到所述多个第二测定点的各个距离不同，

所述第一膜厚传感器和所述第二膜厚传感器在所述研磨台每旋转一次的期间，依次生成表示距离所述基板的中心的距离不同的第一测定点和第二测定点处的膜厚的所述信号值，

基于所述第一膜厚传感器及所述第二膜厚传感器生成的信号值，控制从所述研磨头施加于所述基板的研磨压力。

2.一种研磨方法，其特征在于，

使配置于距研磨台的中心相同的距离处的第一膜厚传感器及第二膜厚传感器与所述研磨台一起旋转，

一边通过研磨头将基板按压于旋转的所述研磨台上的研磨垫而对该基板的表面进行研磨，一边由所述第一膜厚传感器及所述第二膜厚传感器依次生成表示所述基板的表面上的、距所述基板的中心的距离不同的第一测定点和第二测定点处的膜厚的信号值，

在所述研磨台的第N次旋转内的第一时点取得所述第一膜厚传感器所生成的信号值，

取得在所述研磨台的第N次旋转中所述第二膜厚传感器所生成的最新的信号值和在所述研磨台的第N-1次旋转中所述第二膜厚传感器所生成的上一次的信号值，

根据所述最新的信号值和所述上一次的信号值来计算相当于所述第一时点时的所述第二膜厚传感器的信号值的插值信号值，

基于在所述第一时点时所述第一膜厚传感器所生成的信号值及所述插值信号值，控制从所述研磨头施加于所述基板的研磨压力。

3.根据权利要求2所述的研磨方法，其特征在于，

所述插值信号值是所述最新的信号值与所述上一次的信号值的加权平均值。

4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，

当将从所述研磨台的中心延伸至所述第一膜厚传感器及所述第二膜厚传感器的两条直线所呈的角度设为θ、将所述最新的信号值设为S2a、将所述上一次的信号值设为S2b、将所述插值信号值设为WA时，所述插值信号值通过如下数学式获得：

WA＝S2a×((360-θ)/360)+S2b×(θ/360)。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的研磨方法，其特征在于，

使用所述第一膜厚传感器所生成的信号值及所述插值信号值来生成膜厚轮廓。

6.根据权利要求2～4中任一项所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述第一膜厚传感器所生成的信号值及所述插值信号值来确定所述基板的研磨终点。

7.根据权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，

在所述第一膜厚传感器的信号值及所述插值信号值中的任一个达到了目标值时，使所述基板的研磨停止。

8.根据权利要求6所述的研磨方法，其特征在于，

在由所述第一膜厚传感器的信号值换算得到的膜厚值及由所述插值信号值换算得到的膜厚值中的任一个达到了目标值时，使所述基板的研磨停止。