[发明专利]一种LED外延片的选片方法

说明书

本发明提供了一种LED外延片的选片方法，包括：根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。将选出的LED外延片制成LED芯片后，即可得到需求符合率高且产品产出集中度高的LED芯片。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，更具体地说，涉及一种LED外延片的选片方法。

背景技术

现有技术中，都是在LED芯片的制作过程中，选出一些LED外延片制成LED芯片成品，测出LED芯片成品发出的光线的波长，并将该波长与直接测出的LED外延片的波长相减，得出波长k值，即波长波动值。然后将任一LED外延片的波长与波长k值相加后得到该LED外延片制成的LED芯片的波长预估值，判断该波长预估值是否在正常的波长范围内，若在范围内，则将该LED外延片选出并制成LED芯片，若不在范围内，则该LED外延片报废。但是，这种选择LED外延片的方式的周期较长，不能满足实际生产的需要。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED外延片的选片方法，以缩短LED外延片的选片周期。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED外延片的选片方法，包括：

根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值；

根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围；

根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围。

可选地，根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值包括：

根据所述LED外延片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述LED外延片的波长；

根据所述所需的LED芯片的电流密度以及电流密度与波长的对应关系得到所述所需的LED芯片的波长；

根据所述LED外延片的波长以及所述所需的LED芯片的波长得出所述波长k值。

可选地，所述电流密度与波长的对应关系为W＝a×J³+b×J²+c×J+d，其中，W为波长，J为电流密度，a、b、c、d为常数。

可选地，根据所述LED外延片的波长以及所述所需的LED芯片的波长得出所述波长k值包括：

所述波长k值等于所述LED外延片的波长与所述所需的LED芯片的波长的差。

可选地，所述所需的LED芯片的电流密度等于所述所需的LED芯片的电流与所述所需的LED芯片的发光面积之比。

可选地，所述所需的LED外延片波长范围等于所述波长k值与所述所需的LED芯片的波长范围的和。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的LED外延片的选片方法，不需要将LED外延片制成LED芯片来得到波长k值，只需根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度即可计算出波长k值，然后可以根据波长k值以及所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围，并根据不同的波长标准差从多个LED外延片中选出满足相应的波长范围的LED外延片，所述相应的波长范围小于或等于所述所需的LED外延片波长范围，将选出的LED外延片制成LED芯片后，即可得到需求符合率高且产品产出集中度高的LED芯片。