[发明专利]SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法

权利要求书

1.一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于，所述SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路至少包括：

SRAM存储单元及测试单元，所述测试单元连接于所述SRAM存储单元的存储节点，用于检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应；

其中，所述测试单元包括振荡器及开关；所述开关串联于所述振荡器的振荡环路上，或串接于所述振荡器的输出端；所述开关的控制端连接所述SRAM存储单元的存储节点。

2.根据权利要求1所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述SRAM存储单元包括4T SRAM存储单元、6T SRAM存储单元、7T SRAM存储单元或8T SRAM存储单元。

3.根据权利要求1所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述振荡器包括环形振荡器。

4.根据权利要求1所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路，其特征在于：所述开关包括PMOS管或NMOS管。

5.一种基于权利要求1～4任意一项所述的SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路的测试系统，其特征在于，所述测试系统至少包括：

脉冲激光辐射装置、被测模块、器件供电和信号传输采集模块及步进机台；

所述脉冲激光辐射装置发射脉冲激光；

所述被测模块设置于所述步进机台上，与所述脉冲激光辐射装置的激光出射口相对，所述被测模块包括SRAM存储单元；

所述器件供电和信号传输采集模块与所述被测模块连接，包括测试单元；所述器件供电和信号传输采集模块用于为所述SRAM存储单元提供电源，并检测所述SRAM存储单元中的单粒子翻转效应。

6.根据权利要求5所述的测试系统，其特征在于：所述测试系统还包括控制模块，所述控制模块连接所述脉冲激光辐射装置、所述器件供电和信号传输采集模块及所述步进机台，用于提供控制信号。

7.根据权利要求5所述的测试系统，其特征在于：所述测试系统还包括连接于所述器件供电和信号传输采集模块输出端的波形显示器。

8.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于：所述波形显示器包括电脑、示波器或半导体参数测试仪。

9.一种如权利要求5～8任意一项所述的测试系统的测试方法，其特征在于，所述测试方法至少包括：

提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入所述SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将所述SRAM存储单元配置为保持状态；

开启脉冲激光辐射装置，移动所述被测模块，脉冲激光对所述被测模块进行逐点辐照；当所述器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于：当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号。

11.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于：当所述SRAM存储单元中未发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出单一电平或无输出信号；当所述SRAM存储单元中发生单粒子翻转时，所述器件供电和信号传输采集模块输出振荡信号。

12.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于：检测到单粒子翻转后，基于发生单粒子翻转的辐射位置、脉冲激光的光斑大小、脉冲激光的波长及脉冲激光的功率分析SRAM存储单元的单粒子翻转敏感区域或评估单粒子能量阈值。