[发明专利]用于高级集成电路结构制造的间距划分互连在审
申请号: | 201811298444.2 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109860188A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | A·W·杨;A·马德哈范;C·P·奥特 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;H01L21/8238 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 互连线 高级集成电路 集成电路结构 导电互连 结构制造 互连 制造 | ||
1.一种集成电路结构,包括:
衬底上方的层间电介质(ILD)层;
在所述ILD层中并由所述ILD层间隔开的多个导电互连线,所述多个导电互连线包括:
具有宽度的第一互连线;
紧邻所述第一互连线的第二互连线,所述第二互连线具有与所述第一互连线的宽度不同的宽度;
紧邻所述第二互连线的第三互连线,所述第三互连线具有宽度;
紧邻所述第三互连线的第四互连线,所述第四互连线具有与所述第二互连线的宽度相同的宽度;以及
紧邻所述第四互连线的第五互连线,所述第五互连线具有与所述第一互连线的宽度相同的宽度。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第一互连线的宽度不同。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第二互连线的宽度不同。
4.根据权利要求2所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第二互连线的宽度相同。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第一互连线的宽度相同。
6.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第一互连线和所述第三互连线之间的间距与所述第二互连线和所述第四互连线之间的间距相同。
7.根据权利要求1所述的集成电路结构,其中,所述第一互连线和所述第三互连线之间的间距与所述第二互连线和所述第四互连线之间的间距不同。
8.一种集成电路结构,包括:
衬底上方的层间电介质(ILD)层;以及
在所述ILD层中并由所述ILD层间隔开的多个导电互连线,所述多个导电互连线包括:
具有宽度的第一互连线;
紧邻所述第一互连线的第二互连线,所述第二互连线具有宽度;
紧邻所述第二互连线的第三互连线,所述第三互连线具有与所述第一互连线的宽度不同的宽度;
紧邻所述第三互连线的第四互连线,所述第四互连线具有与所述第二互连线的宽度相同的宽度;以及
紧邻所述第四互连线的第五互连线,所述第五互连线具有与所述第一互连线的宽度相同的宽度。
9.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述第二互连线的宽度与所述第一互连线的宽度不同。
10.根据权利要求9所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第二互连线的宽度不同。
11.根据权利要求9所述的集成电路结构,其中,所述第三互连线的宽度与所述第二互连线的宽度相同。
12.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述第二互连线的宽度与所述第一互连线的宽度相同。
13.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述第一互连线和所述第三互连线之间的间距与所述第二互连线和所述第四互连线之间的间距相同。
14.根据权利要求8所述的集成电路结构,其中,所述第一互连线和所述第三互连线之间的间距与所述第二互连线和所述第四互连线之间的间距不同。
15.一种制造集成电路结构的方法,所述方法包括:
在衬底上方的第一层间电介质(ILD)层中形成由所述第一层间电介质(ILD)层间隔开的第一多个导电互连线,其中,所述第一多个导电互连线是使用基于间隔体的间距四分工艺形成的;以及
在所述第一ILD层上方的第二ILD层中形成由所述第二ILD层间隔开的第二多个导电互连线,其中,所述第二多个导电互连线是使用基于间隔体的间距减半工艺形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811298444.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的