[发明专利]银薄膜蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及金属图案形成方法

权利要求书

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

相对于组合物的总重量，包含：

1至10重量％的(A)无机酸；

30至70重量％的(B)有机酸；

0.1至10重量％的(C)过氧化物；

0.01至1重量％的(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物；

0.01至1重量％的(E)三氮唑化合物；以及

(F)余量的水。

2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述(A)无机酸选自由硝酸及盐酸组成的组中的一者以上。

3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述(B)有机酸选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸及草酸组成的组中的一者以上。

4.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述(C)过氧化物选自由过硫酸氢钾复合盐、过硫酸钠及过硫酸铵组成的组中的一者以上。

5.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、二乙烯三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸及肌氨酸组成的组中的一者以上。

6.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述(E)三氮唑化合物选自由1,2,3三氮唑、1,2,4三氮唑、苯并三氮唑及甲基苯并三氮唑组成的组中的一者以上。

7.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金形成的单层膜或者由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。

8.根据权利要求7所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述透明导电膜选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌及氧化铟镓锌组成的组中的一者以上。

9.根据权利要求7所述的银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，

所述多层膜包含由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。

10.一种蚀刻方法，包括以下步骤：

在基板上形成由银或银合金形成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；

在所述单层膜或所述多层膜上选择性地残留光反应物质；以及

使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。

11.一种金属图案形成方法，包括以下步骤：

在基板上形成由银或银合金形成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；以及

使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。