[发明专利]气体供给系统及气体供给方法

说明书

提供一种为了控制多个气体并执行处理而改进的气体供给系统。气体供给系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接，且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接，且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置。

技术领域

本公开涉及一种气体供给系统及气体供给方法。

背景技术

专利文献1公开了一种从多个气源向处理容器供给气体的气体供给系统。专利文献1中所记载的系统从多个气源生成混合气体之后，分流所生成的混合气体并供给至处理容器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3856730号

随着半导体装置的微细化，需要进行重复原子能级的层叠及去除的工序。为了实现这种处理，必须进一步提高处理气体的响应速度，并且进行处理气体的切换的进一步高速化。关于专利文献1中所记载的系统，从提高处理气体的响应速度，进一步提高处理气体的切换速度的观点考虑，有待改进。

发明内容

本公开的一个方面为向基板处理装置的处理容器内的处理空间供给气体的气体供给系统。系统具备第1流路、多个第1气体排出孔、第2流路、第2气体排出孔及多个第1隔膜阀。第1流路与第1气体的第1气源连接，且形成于构成处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。多个第1气体排出孔连通第1流路与处理空间。第2流路与第2气体的第2气源连接，且形成于顶棚部件的内部或处理容器的侧壁的内部。第2气体排出孔连通第2流路与处理空间。各第1隔膜阀在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地形成。

在该系统中，第1气体从第1流路经由多个第1气体排出孔供给至处理空间，第2气体从第2流路经由多个第2气体排出孔供给至处理空间。如此，第1气体与第2气体不汇合而供给至处理空间。因此，气体供给系统中，相较于向处理容器供给之前使第1气体与第2气体汇合的情况，能够省略经汇合的气体到达处理容器为止的时间。因此，响应速度优异。并且，各第1隔膜阀配置于第1流路与第1气体排出孔之间，即处理空间的附近。因此，气体供给系统能够通过第1隔膜阀响应性良好地供给并控制第1气体，并且能够高速切换向处理空间仅供给第2气体的情况与向处理空间供给第1气体与第2气体的混合气体的情况。因此，气体供给系统能够提高处理气体的响应速度，进一步能够提高处理气体的切换速度。而且，气体供给系统能够按各第1气体排出孔而控制第1气体的供给及停止。

在一实施方式中，第1流路可以具有供给第1气体的供给口及排出第1气体的排气口，且从供给口延伸至排气口。并且，气体供给系统还具备：控制阀，设置于供给口的上游，且将向供给口供给的第1气体控制成规定压力；及多个第1节流孔，各第1节流孔在第1流路与第1气体排出孔之间与第1气体排出孔对应地设置；及第1控制器，使控制阀及多个第1隔膜阀动作，各第1隔膜阀可以控制从第1节流孔的出口向第1气体排出孔供给的第1气体的供给定时。

在该情况下，第1气体通过控制阀以规定压力供给至第1流路，且从第1流路的供给口流通至排气口。并且，第1气体通过第1隔膜阀的开闭，从第1节流孔的出口供给至第1气体排出孔。因此，气体供给系统能够使第1流路的压力在整个流路中稳定化，并且使第1气体分别从压力处于稳定的状态的第1流路的多个部位中分流。因此，气体供给系统能够减小每一第1气体排出孔的压力误差。并且，气体供给系统具备与第1气体排出孔对应的第1节流孔，由此能够抑制基于第1隔膜阀的开闭的第1流路内的压力变动。