[发明专利]一种温度检测电路

权利要求书

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括

电流偏置模块，所述电流偏置模块包括第一偏置电流输出端、第二偏置电流输出端和镜像电流输出端，所述第一偏置电流输出端和第二偏置电流输出端输出大小相同的偏置电流，所述镜像电流输出端输出与所述偏置电流大小相同的镜像电流；

温度检测模块，所述温度检测模块包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻，所述第二偏置电流输出端连接至所述第一三极管的发射极，第一三极管的基极和集电极接地，所述第一偏置电流输出端通过第一电阻连接至所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的基极和集电极接地，所述镜像电流输出端通过第二电阻接地。

2.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，所述电流偏置模块包括第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第三电阻和第四电阻；所述第一P沟道场效应管的源极连接至电源，第一P沟道场效应管的漏极连接第三P沟道场效应管的源极，第三P沟道场效应管的漏极通过第三电阻连接至第三N沟道场效应管的漏极，第三N沟道场效应管的源极连接至第一N沟道场效应管的漏极，第一N沟道场效应管的源极连接至第一偏置电流输出端；所述第二P沟道场效应管的源极连接至电源，第二P沟道场效应管的漏极连接第四P沟道场效应管的源极，第四P沟道场效应管的漏极通过第四电阻连接至第四N沟道场效应管的漏极，第四N沟道场效应管的源极连接至第二N沟道场效应管的漏极，第二N沟道场效应管的源极连接至第二偏置电流输出端；第一P沟道场效应管的栅极和第二P沟道场效应管的栅极短接并连接至第三P沟道场效应管的漏极；第三P沟道场效应管的栅极和第四P沟道场效应管的栅极短接并连接至第三N沟道场效应管的漏极；第一N沟道场效应管的栅极和第二N沟道场效应管的栅极短接并连接至第四N沟道场效应管的漏极；第三N沟道场效应管的栅极和第四N沟道场效应管的栅极短接并连接至第四P沟道场效应管的漏极。

3.根据权利要求2所述的一种温度检测电路，其特征在于，所述电流偏置模块还包括第五P沟道场效应管和第六P沟道场效应管，所述第五P沟道场效应管的源极连接至电源，第五P沟道场效应管的漏极连接至第六P沟道场效应管的源极，第六P沟道场效应管的漏极连接至镜像电流输出端，第五P沟道场效应管的栅极连接至第一P沟道场效应管的栅极，第六P沟道场效应管的栅极连接至第三P沟道场效应管的栅极。

4.根据权利要求2或者3所述的一种温度检测电路，其特征在于，还包括启动电路模块，所述启动电路模块包括第五N沟道场效应管、第六N沟道场效应管、第七P沟道场效应管、第八P沟道场效应管和第九P沟道场效应管，所述第七P沟道场效应管、第八P沟道场效应管和第九P沟道场效应管的源极分别连接电源；第七P沟道场效应管的栅极、第七P沟道场效应管的漏极、第五N沟道场效应管的漏极和第六N沟道场效应管的栅极相互连接在一起；第八P沟道场效应管的栅极、第八P沟道场效应管的漏极、第九P沟道场效应管的栅极和第六N沟道场效应管漏极相互连接在一起；第五N沟道场效应管的源极和第六N沟道场效应管的源极分别接地；第五N沟道场效应管的栅极和第九P沟道场效应管的漏极相互连接并连接至第四P沟道场效应管的漏极。

5.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，所述第一三极管为PNP型三极管。

6.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，所述第二三极管为PNP型三极管。