[发明专利]一种可变图形及电子器件

权利要求书

1.一种可变图形，其特征在于，所述可变图形包括主图案以及可变图案，所述主图案的材质为第一低熔点金属，环境温度高于或等于预设温度时，所述可变图案提供液体物质，且在外力作用下所述液体物质发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案的连接方式改变。

2.根据权利要求1所述的可变图形，其特征在于，所述环境温度低于所述预设温度时，位于所述可变图案两侧的主图案不连接；所述环境温度高于或等于预设温度时，所述可变图案提供液体物质，且在外力作用下所述液体物质发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案连接。

3.根据权利要求2所述的可变图形，其特征在于，所述可变图案的材质为熔点为所述预设温度的第二低熔点金属，且所述可变图案的厚度大于200微米；所述环境温度高于或等于预设温度时，熔化后的所述第二低熔点金属在重力的作用下发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案连接。

4.根据权利要求2所述的可变图形，其特征在于，所述可变图形还包括覆盖于所述主图案和所述可变图案上的封装薄膜，所述封装薄膜内部存在有法向的内应力；所述可变图案的材质为熔点为所述预设温度的第二低熔点金属；所述环境温度高于或等于预设温度时，熔化后的所述第二低熔点金属在所述封装薄膜的内应力的作用下发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案连接。

5.根据权利要求2所述的可变图形，其特征在于，所述可变图形还包括基材，所述主图案和所述可变图案位于所述基材的一面上，所述基材的另一面上设置有磁铁，所述磁铁在所述基材上的垂直投影覆盖位于所述可变图案两侧的主图案之间的区域；所述可变图案的材质为第一金属混合物，所述第一金属混合物包括熔点为所述预设温度的第二低熔点金属，以及磁性填料；所述环境温度高于或等于预设温度时，所述第一金属混合物在所述磁铁的磁力的作用下发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案连接。

6.根据权利要求2所述的可变图形，其特征在于，所述主图案的厚度大于200微米；所述主图案中的所述第一低熔点金属的熔点低于所述预设温度；所述可变图案的材质为熔点为所述预设温度的绝缘材料；所述环境温度高于或等于预设温度时，熔化后的所述绝缘材料在重力的作用下发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案中的所述第一低熔点金属相向流动，使位于所述可变图案两侧的主图案连接。

7.根据权利要求1所述的可变图形，其特征在于，所述环境温度低于所述预设温度时，所述可变图案均与位于所述可变图案两侧的主图案连接，使位于所述可变图案两侧的主图案连接；所述环境温度高于或等于预设温度时，所述可变图案提供液体物质，且在外力作用下所述液体物质发生形变，使位于所述可变图案两侧的主图案不连接。

8.根据权利要求7所述的可变图形，其特征在于，所述可变图案包括熔点低于所述预设温度的第三低熔点金属、以及微胶囊；所述微胶囊的囊芯为与所述第三低熔点金属中的氧化物反应的清除溶液，所述微胶囊的囊壁的熔点为所述预设温度，且所述囊壁不与所述第三低熔点金属发生反应；所述环境温度高于或等于所述预设温度时，所述囊壁熔化释放所述第三低熔点金属，所述第三低熔点金属在表面张力的作用下发生汇聚形变，使位于所述可变图案两侧的主图案不连接。

9.根据权利要求7所述的可变图形，其特征在于，所述可变图案的材质为熔点为所述预设温度的第四低熔点金属，所述可变图案的厚度小于或等于200微米；所述环境温度高于或等于所述预设温度时，熔化后的所述第四低熔点金属在表面张力的作用下发生汇聚形变，使位于所述可变图案两侧的主图案不连接。

10.一种电子器件，其特征在于，包括芯片和与所述芯片连接的天线，所述天线包括如权利要求1～9任一项所述的可变图形。