[发明专利]显示面板、及其制备方法和显示终端有效
申请号: | 201811290666.X | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN110767688B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 唐静;张露;宋艳芹;楼均辉;范俊;申丽萍;周子琳;李高敏;安乐平;朱可;袁春芳 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 终端 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,具有相邻的第一显示区和第二显示区;所述第一显示区和所述第二显示区均用于显示动态或者静态画面;所述第一显示区下方可设置感光器件;所述显示面板包括设置于所述第一显示区的第一显示面板及设置于所述第二显示区的第二显示面板;
所述第一显示面板包括第一显示区对应的基板以及形成于所述第一显示区对应的基板上的第一电极层,所述第一显示面板的第一电极层包括所述第一显示面板的多个相互独立的第一电极,所述第一显示面板的第一电极的材料采用透明金属氧化物材质;所述第一显示面板的各结构膜层材料的透光率大于90%;
所述第二显示面板包括第二显示区对应的基板以及形成于所述第二显示区对应的基板上的第一电极层,所述第二显示面板的第一电极层包括所述第二显示面板的多个相互独立的第一电极,形成所述第二显示面板的第一电极的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示面板为PMOLED显示面板,或所述一显示面板为AMOLED显示面板或类AMOLED显示面板,所述类AMOLED显示面板的像素电路仅包含一个开关元件;
所述第二显示面板为PMOLED显示面板或AMOLED显示面板。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示面板的透光率大于70%。
4.一种制备显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板划分为透明显示区域和非透明显示区域,所述透明显示区域和所述非透明显示区域均用于显示动态或者静态画面,所述透明显示区域下方设置感光元件;
于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第一电极,所述透明显示区域对应第一电极的材料为透明金属氧化物材质;
在完成所述透明显示区对应的第一电极的制备后,于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应的第一电极,制备所述非透明显示区域对应的第一电极所用的材料包括非透明导电材质和透明金属氧化物材质。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述形成所述透明显示区域对应的第一电极,包括:
于所述透明显示区域,形成透明导电膜层;
图案化所述透明导电膜层,形成所述透明显示区域对应的第一电极;
对所述透明显示区域对应的第一电极进行晶化退火。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述形成所述非透明显示区域对应的第一电极,包括:
于所述非透明显示区域,形成非透明导电膜层;
于所述非透明导电膜层上,形成透明导电膜层;
同步图案化所述非透明导电膜层及所述透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述同步图案化所述非透明导电膜层,形成所述非透明显示区域对应的第一电极之后,所述方法还包括:
于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述透明显示区域对应的第一像素限定层和所述非透明显示区域对应的第二像素限定层;
对所述第一像素限定层及所述第二像素限定层进行加热,以固化所述第一像素限定层及所述第二像素限定层,并同时对所述非透明显示区域对应的第一电极进行退火;
于所述透明显示区域和所述非透明显示区域,同步制备所述第一像素限定层的像素开口位置处的第一有机发光层及所述第二像素限定层的像素开口位置处的第二有机发光层;
于所述透明显示区域,形成所述透明显示区域对应的第二电极;
于所述非透明显示区域,形成所述非透明显示区域对应第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的