[发明专利]微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法

权利要求书

1.一种微发光二极管阵列器件，其特征在于，包括：

微发光二极管阵列，包括若干微发光二极管；及

放置所述微发光二极管阵列的控制台；

侦测单元，用于侦测是否有不需要进行转移的所述微发光二极管，并在有不需要进行转移的所述微发光二极管时，将所述不需要进行转移的所述微发光二极管的位置信息传输给所述控制台；

所述控制台包括：

控制单元，设置在所述控制台内，用于接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应不需要进行转移的微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取；

所述控制台还包括：

承载板，

位于所述承载板的一表面的若干电磁块，每一所述电磁块与一个所述微发光二极管对应；

若干线圈，与所述若干电磁块一一对应连接；及

控制电路，与所述若干线圈连接，所述控制电路用于根据接收的不需要进行转移的微发光二极管的位置信息控制对应位置的线圈旋转产生磁场，以使所述电磁块产生磁性；

所述微发光二极管阵列还包括：

衬底，所述若干微发光二极管位于所述衬底上；及

磁性材料层，所述磁性材料层位于所述衬底上远离所述微发光二极管的一侧。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列器件，其特征在于，所述磁性材料层为软磁性材料，所述软磁性材料为Fe、Ni、Mn中的任意一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列器件，其特征在于，所述不需要进行转移的微发光二极管的位置信息为所述微发光二极管在所述微发光二极管阵列中的横坐标及纵坐标。

4.一种微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供控制台；

在所述控制台上设置微发光二极管阵列；

在所述控制台内设置控制单元，以接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取；

所述提供控制台，包括：

提供承载板；

在所述承载板的一表面设置若干电磁块，每一电磁块与一个微发光二极管对应；

在所述承载板内设置与所述若干电磁块一一对应连接的若干线圈；及

在所述承载板内设置与所述若干线圈连接的控制电路，所述控制电路根据接收的不需要进行转移的微发光二极管的位置信息控制线圈旋转产生磁场，以使所述电磁块产生磁性；

所述在所述控制台上设置微发光二极管阵列，包括：

提供衬底；

在所述衬底上设置若干微发光二极管；及

在所述衬底上远离所述微发光二极管的一侧设置磁性材料层。

5.根据权利要求4所述的微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，

所述磁性材料层由Fe、Ni、Mn中的任意一种或任意组合形成。