[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子阻挡层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层的材料采用P型掺杂的氮化铝镓，每个所述第二子层的材料采用掺杂铌的氮化镓。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述n个第二子层的厚度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减小。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层的厚度为2nm～5nm。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为所述第二子层的厚度的5倍～10倍。

5.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述n个第二子层中铌的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐层减小。

6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中铌原子和镓原子的数量比为3/7～4/6。

7.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，1≤n≤10。

8.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次形成N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层；

其中，所述电子阻挡层包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层的材料采用P型掺杂的氮化铝镓，每个所述第二子层的材料采用掺杂铌的氮化镓。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二子层采用分子束外延工艺形成。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，采用分子束外延工艺形成所述第二子层，包括：

控制反应室的真空度为10^-7Pa～10^-9Pa，所述衬底的温度为550℃～750℃，以10^-3Pa～10^-5Pa的分压驱动铌原子束、以10^-3Pa～10^-5Pa的分压驱动镓原子束、以10^-2Pa～10^-4Pa的分压驱动氮原子束相互作用，形成所述第二子层。