[发明专利]排气系统及半导体设备在审

专利信息
申请号: 201811288628.0 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN111128788A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;C23C16/455
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 排气 系统 半导体设备
【权利要求书】:

1.一种排气系统,其特征在于,包括:

排气管道,用于排放废气;以及,

若干管道连接件,与所述排气管道连接;其中,所述管道连接件具有与所述排气管道连通的接头本体,所述接头本体的至少一段管壁上设置有呈环状排布的若干气体喷射孔道,所述气体喷射孔道用于接收惰性气体并将所述惰性气体喷射至所述接头本体内。

2.如权利要求1所述的排气系统,其特征在于,所述接头本体的至少一段管壁上设置有环形空腔,所述环形空腔的进气口连接至一惰性气体供给设备,以向所述环形空腔中通入所述惰性气体,以及多个所述气体喷射孔道沿着所述环形空腔环状排布,并与所述环形空腔连通,以使所述环形空腔中的所述惰性气体通过所述气体喷射孔道体喷射至所述接头本体内。

3.如权利要求2所述的排气系统,其特征在于,在所述排气管道中通入有废气时,所述惰性气体从所述气体喷射孔道中沿着所述废气的流经方向喷射出,并呈涡流状汇入所述废气。

4.如权利要求3所述的排气系统,其特征在于,通入所述排气管道的废气的温度介于100摄氏度-150摄氏度,从所述气体喷射孔道中喷出的惰性气体的温度大于100摄氏度。

5.如权利要求1或2所述的排气系统,其特征在于,所述气体喷射孔道的轴向与所述接头本体的径向之间构成一夹角,所述夹角的范围介于1度-10度。

6.如权利要求5所述的排气系统,其特征在于,每个所述气体喷射孔道的轴向与所述接头本体的径向之间构成的夹角均相等。

7.如权利要求2所述的排气系统,其特征在于,所述管道连接件还包括加热件,用于加热所述惰性气体,其中所述加热件设置于所述环形空腔内或设置于所述接头本体内。

8.如权利要求1所述的排气系统,其特征在于,所述管道连接件还包括测温件,所述测温件的测温探头伸入所述接头本体内,以测量所述接头本体内的温度。

9.如权利要求1所述的排气系统,其特征在于,所述排气系统用于从一抽气单元中获取所述废气并将所述废气排放至一废气处理单元中,并且所述排气系统中靠近所述抽气单元的端部设置有所述管道连接件,所述管道连接件的两端分别与所述抽气单元的出气口及所述排气管道的一端可拆卸连接。

10.一种半导体设备,其特征在于,包括反应腔、抽气单元、废气处理单元及权利要求1-9中任一项所述的排气系统,所述抽气单元与所述反应腔连接以抽出所述反应腔内的废气,所述废气通过所述排气系统后流入所述废气处理单元进行处理。

11.如权利要求10所述的半导体设备,其特征在于,所述半导体设备包括膜层淀积设备。

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