[发明专利]CMOS-TDI图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括若干个像素区；

位于各个所述像素区基底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第一浓度；

位于所述第一掺杂区底部基底内的第二掺杂区，所述第二掺杂区的顶部与第一掺杂区的底部接触，所述第二掺杂区内也具有第一离子，所述第二掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第二浓度，所述第二浓度大于第一浓度；

位于各个像素区内所述第一掺杂区表面的栅极结构。

2.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，若干个像素区沿第一方向排布。

3.如权利要求2所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，沿垂直于第一方向且平行于基底表面的方向上，所述第一掺杂区的尺寸大于第二掺杂区的尺寸。

4.如权利要求3所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，沿垂直于第一方向且平行于基底表面的方向上，所述第一掺杂区的尺寸为2微米～100微米；沿垂直于第一方向且平行于基底表面的方向上，所述第二掺杂区的尺寸为1微米～50微米。

5.如权利要求2所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区的个数为1个或者大于1个；当第二掺杂区的个数大于1个时，多个第二掺杂区沿垂直于第一方向且平行于基底表面方向排列，且相邻第二掺杂区之间相互分立。

6.如权利要求2所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第二掺杂区底部的第三掺杂区，所述第三掺杂区的顶部与第二掺杂区的底部接触，所述第三掺杂区内也具有所述第一离子，所述第三掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第三浓度，所述第三浓度大于第二浓度。

7.如权利要求6所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第三掺杂区的个数为1个。

8.如权利要求7所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，沿垂直于第一方向且平行于基底表面方向上，所述第一掺杂区的尺寸大于第二掺杂区的尺寸，且第二掺杂区的尺寸大于第三掺杂区的尺寸。

9.如权利要求6所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第三掺杂区的个数大于1个，且多个第三掺杂区沿由第一掺杂区至第三掺杂区的排布方向排布，且沿由第一掺杂区至第三掺杂区的排布方向，各个第三掺杂区内第三浓度依次增加。

10.如权利要求8所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，沿垂直于第一方向且平行于基底表面方向，所述第一掺杂区的尺寸大于第二掺杂区的尺寸，第二掺杂区的尺寸大于第三掺杂区的尺寸，且沿由第一掺杂区至第三掺杂区的排布方向，第三掺杂区的尺寸依次减小。

11.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述第二面接地；所述栅极结构位于第一面上。

12.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构表面的金属互连层。

13.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述第一掺杂区表面的栅介质层和位于栅介质层表面的栅极层；所述栅介质层的材料包括氧化硅；所述基底的材料包括硅。

14.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反。

15.一种如权利要求1至权利要求14任一项所述的CMOS-TDI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括若干个像素区；

在各个所述像素区基底内形成第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第一浓度；

在所述第一掺杂区底部基底内形成第二掺杂区，所述第二掺杂区的顶部与第一掺杂区的底部接触，所述第二掺杂区内也具有第一离子，所述第二掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第二浓度，且所述第二浓度大于第一浓度；

在各个像素区内所述第一掺杂区表面形成栅极结构。