[发明专利]一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法在审
申请号: | 201811288286.2 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109545553A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 郭涛;刘昌;吴昊 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/008;H01G4/012 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 李明娅 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容器 透明柔性 制备 高品质因子 金属纳米网 顶电极 介质层 反应离子束刻蚀 高K介质材料 电容器器件 电子器件 金属沉积 金属纳米 湿法刻蚀 塑料柔性 网状电极 底电极 热蒸发 透光度 衬底 光刻 可用 生长 重复 表现 | ||
1.一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于,包括如下步骤:
步骤一、在塑料柔性衬底上转移PS(聚苯乙烯)球,利用其自组装特性获得有序排列的图形作为模板;
步骤二、利用反应离子束刻蚀技术将步骤一中获得的PS球模板进行缩球工艺,扩大球与球之间的间隙;
步骤三、用热蒸发工艺将金属沉积到步骤二中所获得的缩球处理后的PS球模板上;
步骤四、将步骤三中的PS球模板去掉,留下金属纳米网,作为透明柔性电容器的底电极;
步骤五、于100~500℃下,在步骤四中制备的金属纳米网状电极上生长高K介质材料作为介质层;
步骤六、重复步骤一到四,再将金属纳米网制备在介质层上作为透明柔性电容器的顶电极;
步骤七、对步骤六制备的顶电极进行光刻,湿法刻蚀,得到透明柔性电容器器件。
2.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤一中塑料柔性衬底为PEN和PET。
3.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤二中的PS球直径大小为950~5000nm。
4.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤三中的热蒸发的金属材料为Cr、Au、Al、Ag、Cu的一种或几种。
5.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤三中的热蒸发的金属厚度为20nm~200nm。
6.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤五中的高K介质材料为Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、Y2O3的一种或者几种。
7.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤五中的介质层的厚度为5nm~50nm。
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