[发明专利]一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811288286.2 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109545553A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 郭涛;刘昌;吴昊 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01G4/33 分类号: H01G4/33;H01G4/008;H01G4/012
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 李明娅
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 电容器 透明柔性 制备 高品质因子 金属纳米网 顶电极 介质层 反应离子束刻蚀 高K介质材料 电容器器件 电子器件 金属沉积 金属纳米 湿法刻蚀 塑料柔性 网状电极 底电极 热蒸发 透光度 衬底 光刻 可用 生长 重复 表现
【权利要求书】:

1.一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于,包括如下步骤:

步骤一、在塑料柔性衬底上转移PS(聚苯乙烯)球,利用其自组装特性获得有序排列的图形作为模板;

步骤二、利用反应离子束刻蚀技术将步骤一中获得的PS球模板进行缩球工艺,扩大球与球之间的间隙;

步骤三、用热蒸发工艺将金属沉积到步骤二中所获得的缩球处理后的PS球模板上;

步骤四、将步骤三中的PS球模板去掉,留下金属纳米网,作为透明柔性电容器的底电极;

步骤五、于100~500℃下,在步骤四中制备的金属纳米网状电极上生长高K介质材料作为介质层;

步骤六、重复步骤一到四,再将金属纳米网制备在介质层上作为透明柔性电容器的顶电极;

步骤七、对步骤六制备的顶电极进行光刻,湿法刻蚀,得到透明柔性电容器器件。

2.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤一中塑料柔性衬底为PEN和PET。

3.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤二中的PS球直径大小为950~5000nm。

4.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤三中的热蒸发的金属材料为Cr、Au、Al、Ag、Cu的一种或几种。

5.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤三中的热蒸发的金属厚度为20nm~200nm。

6.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤五中的高K介质材料为Al2O3、ZrO2、HfO2、TiO2、Y2O3的一种或者几种。

7.如权利要求1所述的一种高品质因子的透明柔性电容器的制备方法,其特征在在于:所述步骤五中的介质层的厚度为5nm~50nm。

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