[发明专利]一种防护芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种防护芯片，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底，

形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层，

自所述第一外延层的上表面向下形成的倒T型的多个第一沟槽，所述第一沟槽包括横向沟槽及与所述横向沟槽连通的纵向沟槽，

自所述横向沟槽的底面向所述第一外延层延伸形成的第二导电类型的第一注入区，填充所述横向沟槽的第二导电类型的第二外延层，

填充所述纵向沟槽并延伸至所述横向沟槽的底部的第一导电类型的第三外延层，自所述第一外延层的上表面向所述纵向沟槽的两侧延伸的第一导电类型的第二注入区，其中，所述第二外延层、所述三外延层、所述第一注入区和所述第二注入区的离子浓度均大于所述第一外延层的离子浓度，

形成在所述衬底的下表面的第一金属层，

形成在所述第一外延层、所述第二注入区和所述第三外延层的上表面的第二金属层。

2.根据权利要求1所述的防护芯片，其特征在于：所述防护芯片还包括自所述第一外延层的上表面向下延伸至所述衬底的绝缘层。

3.根据权利要求2所述的防护芯片，其特征在于：所述第一沟槽有四个，四个第一沟槽均匀间隔设置在所述绝缘层的两侧。

4.根据权利要求2所述的防护芯片，其特征在于：所述绝缘层为二氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的防护芯片，其特征在于：所述防护芯片还包括与所述第一金属层电连接的第一电极，与所述第二金属层电连接的第二电极。

6.一种防护芯片的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1、准备第一导电类型的衬底，在所述衬底的上表面形成第一导电类型的第一外延层，自所述第一外延层的上表面向下形成的倒T型的多个第一沟槽，所述第一沟槽包括横向沟槽及与所述横向沟槽连通的纵向沟槽；

步骤S2、自所述横向沟槽的底面向所述第一外延层延伸形成第二导电类型的第一注入区；

步骤S3、填充所述横向沟槽形成第二导电类型的第二外延层，沿所述纵向沟槽向下刻蚀所述第二外延层至所述横向沟槽的底部，再填充所述纵向沟槽并延伸至所述横向沟槽的底部形成第一导电类型的第三外延层；

步骤S4、自所述第一外延层的上表面向所述纵向沟槽的两侧延伸形成第一导电类型的第二注入区，其中，所述第二外延层、所述三外延层、所述第一注入区和所述第二注入区的离子浓度均大于所述第一外延层的离子浓度；

步骤S5、在所述衬底的下表面的形成第一金属层，在所述第一外延层、所述第二注入区和所述第三外延层的上表面形成的第二金属层。

7.根据权利要求6所述的防护芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1还包括步骤S11、自所述第一外延层的上表面向下形成延伸至所述衬底的第二沟槽，在所述第二沟槽内填充绝缘层。

8.根据权利要求6所述的防护芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，在氮气、氢气的混合气体的保护下对所述第一沟槽进行退火处理，再填充所述的第一沟槽，而形成所述第二外延层和所述第三外延层。

9.根据权利要求8所述的防护芯片的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为1100度，时间大于60分钟。