[发明专利]CMOS-TDI图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括若干个像素区；

位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；

位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个所述第一掺杂区；

所述若干个像素区为第1级像素区至第n-1级像素区；所述基底内还具有第n级像素区，所述第n级像素区基底内还具有第二掺杂区，所述第二掺杂区是连续的；所述图像传感器还包括：位于所述第二掺杂区表面的第二栅极结构。

2.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每一个像素区内若干个第一掺杂区沿第一方向排布；在所述第一方向上，所述第一掺杂区的尺寸为1微米～10微米。

3.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，相邻第一掺杂区边缘之间的最小距离为0.5微米～1.5微米。

4.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区的深度为：0.1微米～3微米。

5.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每一个像素区内所述第一掺杂区的个数为2个～50个。

6.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，每个像素区内第一栅极结构的个数为2个～4个。

7.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述第一栅极结构包括：位于所述像素区基底表面的第一栅介质层和位于第一栅介质层表面的第一电极层；所述第一栅介质层的材料包括氧化硅；所述基底的材料包括硅。

8.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述像素区基底内具有第一离子；所述第一掺杂区内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反。

9.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，所述基底内还包括阱区，所述阱区接地。

10.如权利要求1所述的CMOS-TDI图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一栅极结构表面的金属互连层。

11.一种如权利要求1至权利要求10任一项所述的CMOS-TDI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括若干个像素区；

在第1级像素区至第n-1级像素区的基底内形成若个个相互分立的第一掺杂区；在第n级像素区基底内形成连续的第二掺杂区；

在第1级像素区至第n-1级像素区的基底表面形成第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个第一掺杂区；在第n级像素区基底表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述第二掺杂区。