[发明专利]使用可光刻键合材料的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种使用可光刻键合材料的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供基板和多个第一芯片；

在所述基板或所述第一芯片上形成可光刻键合层；

利用光刻工艺，图形化所述可光刻键合层，在所述可光刻键合层内形成第一通孔；

通过所述可光刻键合层，预键合所述第一芯片至所述基板，所述第一芯片与所述第一通孔与相对应；

提供封装材料，采用热压合工艺使所述基板和所述多个第一芯片通过所述键合层实现键合，并使所述封装材料填充于所述多个第一芯片之间且覆盖所述多个第一芯片和基板；

在所述热压合工艺后，刻蚀所述基板背向所述第一芯片的表面，在所述基板内形成贯穿所述基板且与所述第一通孔相贯通的第二通孔，所述第二通孔和所述第一通孔用于构成第一导电通孔；

在所述第一导电通孔内形成与所述第一芯片电连接的第一导电柱。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述多个第一芯片集成在第一器件晶圆中或者彼此分立。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述多个第一芯片集成在第一器件晶圆中；

所述可光刻键合层形成在所述第一器件晶圆上；

形成所述第一通孔后，进行所述预键合处理之前，还包括：对所述第一器件晶圆进行切割处理，获得多个分立的所述第一芯片。

4.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述第一器件晶圆包括器件区以及环绕所述器件区的切割道区；

图形化所述可光刻键合层的步骤中，还在所述键合层内形成开口，所述开口露出所述切割道区的第一器件晶圆。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述热压合工艺的步骤包括：

进行抽真空处理和第二加热处理，使所述热压合工艺的工艺压强达到预设压强，使所述热压合工艺的工艺温度达到预设温度；

使所述第一芯片和所述封装材料相接触；

在所述预设压强和预设温度下，对所述基板和封装材料进行第二加压处理至预设时间，使所述封装材料填充于所述多个第一芯片之间且覆盖所述第一芯片和基板，并使所述基板和所述多个第一芯片实现键合；

在所述第二加压处理后，在所述预设温度下，对所述封装材料进行热固化处理。

6.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述预键合的步骤包括：对所述第一芯片和基板进行预热处理；

在所述预热处理后，对所述第一芯片和基板中的至少一个进行第一加压处理，且在进行所述第一加压处理的同时，对所述第一芯片和所述基板进行第一加热处理。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在所述第一加压处理的步骤中，对所述第一芯片背向所述基板的面进行所述第一加压处理；

在所述第一加热处理的步骤中，对所述第一芯片背向所述基板的面、以及所述基板背向所述第一芯片的面进行所述第一加热处理。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述基板为第二器件晶圆，所述第二器件晶圆中集成有多个第二芯片，所述第二芯片中形成有第一焊盘，露出所述第一焊盘的第二器件晶圆表面为晶圆正面，与所述晶圆正面相背的第二器件晶圆表面为晶圆背面；

在所述热压合工艺后，刻蚀所述基板背向所述第一芯片的表面之前，还包括：对所述晶圆背面进行减薄处理。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述键合层的工艺为贴附工艺。

10.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述可光刻键合层的材料为可光刻的干膜、可光刻的聚酰亚胺、可光刻的聚苯并恶唑或可光刻的苯并环丁烯。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装材料为薄膜型封装材料、液态封装材料或粉末状封装材料。