[发明专利]一种硅镁复合合金生产工艺在审

专利信息
申请号: 201811282701.3 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109161712A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 张中科;撖光新 申请(专利权)人: 宁夏科通新材料科技有限公司
主分类号: C22C1/05 分类号: C22C1/05;C22C23/00;C22C32/00;C22C1/10;C22F1/04
代理公司: 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 代理人: 金波
地址: 753200 宁夏*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 烧结炉 测温仪器 复合合金 硅镁合金 球磨罐 硅镁 石墨坩埚 压制模具 质量份 生产工艺 制备 等静压模具 制备原材料 出料粒度 监控手段 金属探头 经济损失 烧结法制 温度数据 测温仪 接触式 石英粉 镁粉 外壁 嵌入 合成 模糊 失败
【说明书】:

发明公开了一种硅镁复合合金生产工艺,其特征在于,包括合成制备原材料及工具:镁粉质量份10份、石英粉质量份2份、球磨罐、压制模具、烧结炉、石墨坩埚、测温仪器,球磨罐为XQM‑2实验型球磨罐,其简体转速为220r/min,出料粒度为0.075mm,烧结炉为SG‑XS‑1000型烧结炉,石墨坩埚的规格为φ183*232mm,压制模具为硅镁合金专用等静压模具,烧结炉外壁嵌入测温仪器的金属探头,测温仪器为接触式TKDT10型测温仪,本发明的有益效果:本发明解决了传统硅镁复合合金工艺中对烧结炉温度的监控手段模糊,无法精确的得到烧结法制备硅镁合金的过程中烧结炉的温度数据,无法严格控制把关,导致硅镁合金制备的纯度底甚至制备失败,造成大量的经济损失的问题。

技术领域:

本发明属于复合工艺技术领域,涉及一种硅镁复合合金生产工艺。

背景技术:

传统硅镁复合合金工艺中,对温度的监控手段模糊,无法精确的得到烧结法制备硅镁合金的过程中烧结炉的温度数据,无法严格控制把关,容易导致硅镁合金制备的纯度底甚至制备失败,造成大量的经济损失。

发明内容:

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种硅镁复合合金生产工艺,解决了现有技术中的缺点。

为了解决上述问题,本发明提供了一种技术方案:

一种硅镁复合合金生产工艺,其特征在于,包括合成制备原材料及工具:镁粉质量份10份、石英粉质量份2份、球磨罐、压制模具、烧结炉、石墨坩埚、测温仪器。

作为优选,所述球磨罐为XQM-2实验型球磨罐,其简体转速为220r/min,出料粒度为0.075mm。

作为优选,所述烧结炉为SG-XS-1000型烧结炉。

作为优选,所述石墨坩埚的规格为φ183*232mm。

作为优选,所述压制模具为硅镁合金专用等静压模具。

作为优选,所述烧结炉外壁嵌入测温仪器的金属探头。

作为优选,所述测温仪器为接触式TKDT10型测温仪。

作为优选,包括以下步骤:

一、备料,取镁粉质量份10份和石英粉质量份2份,混合并粉碎原料中的结块;

二、球磨,将镁粉和石英粉装入球磨罐中,使用抽空机抽空球磨罐中的空气,控制球料比为12:1;

三、压胚,将复合粉末装入冷等静压模具中,采用冷等静压机压制坯料,压力为20MPa,保压时间为10min;

四、烧结,将压胚得到的复合胚料装在石墨坩埚中,通入H2,30min至60min检验H2,直至H2纯度达到95vol%后开始对烧结炉加热,通过测温仪器监测烧结炉内温度,在烧结炉温度在500℃±50℃时保温45min±5min,保温结束后加压2.5MPa±0.5MPa,通过测温仪器监测烧结炉内温度,最后使烧结炉升温加热至750℃±50℃保温45min±5min,保温结束后置换H2为N2降温;

五、固溶,将绕结后的合金进行退火,退火温度为650℃±50℃,保温5h,随后取出试样水淬至室温;

六、空冷,静置冷却;

七、收集合金。

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