[发明专利]硅材料线切割液及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811282528.7 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109266430A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 李文瀚;杨同勇 申请(专利权)人: 三达奥克化学股份有限公司
主分类号: C10M173/02 分类号: C10M173/02
代理公司: 大连非凡专利事务所 21220 代理人: 闪红霞
地址: 116000 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 硅材料 低泡表面活性剂 水性消泡剂 非离子 分子级 润湿剂 制备 启动搅拌器 质量百分比 纯水余量 线切割液 反应釜 切割液 无残留 称量 冲洗 切割 保证
【说明书】:

发明公开一种可保证硅材料切割无线痕、无残留、易冲洗的硅材料切割液,所用原料及质量百分比如下:非离子双子型强效润湿剂5~8%,分子级水性消泡剂3~5%、低泡表面活性剂20~22%及纯水余量。制备方法按照如下步骤进行:在反应釜中加入称量的纯水;依次加入低泡表面活性剂、非离子双子型强效润湿剂、分子级水性消泡剂;启动搅拌器,设定转速为60转/分钟,搅拌至溶液呈无色透明溶液为止。

技术领域

本发明涉及一种切割液,尤其是一种可保证硅材料切割无线痕、无残留、易冲洗的硅材料切割液及其制备方法。

背景技术

光伏硅片加工企业的主要产品为硅锭、硅片、太阳能电池板和高效光伏发电组件等,生产过程中需要采用数控线切割机床对硅材料(蓝宝石、硅、陶瓷等)进行切片处理。然而,由于现有切割液的质量问题,导致切片过程中容易出现滑刀、切割用金刚线崩断、切割后硅片表面线痕明显及切割液残留严重不易于清洗等现象,同时槽液还会产生大量泡沫造成溢缸,加大了切片成本、降低了切片的工作效率。

发明内容

本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题,提供一种可保证硅材料切割无线痕、无残留、易冲洗的硅材料切割液及其制备方法。

本发明的技术解决方案是:一种硅材料切割液,其特征在于所用原料及质量百分比如下:非离子双子型强效润湿剂5~8%,分子级水性消泡剂3~5%、低泡表面活性剂 20~22%及纯水余量。

上述硅材料切割液的制备方法,依次按照如下步骤进行:

a. 在反应釜中加入称量的纯水;

b. 依次加入低泡表面活性剂、非离子双子型强效润湿剂、分子级水性消泡剂;

c.启动搅拌器,设定转速为60转/分钟,搅拌至溶液呈无色透明溶液为止。

本发明各组分相互作用,可使硅材料的切割时间比现有技术缩短了10%,切割期间槽液稳定无泡沫溢缸现象,极大地提高了切片工作效率。使用本发明切割后的硅片,表面平滑无线痕,无切割液残留,利于后续的切片清洗,降低了切片成本。

具体实施方式

实施例1:

本发明的硅材料切割液,所用原料及质量百分比如下:非离子双子型强效润湿剂7%,分子级水性消泡剂4%、低泡表面活性剂 21%及纯水余量。

所述非离子双子型强效润湿剂购自上海桑井化工,其结构式如下:

所述分子级水性消泡剂为高性能分子级水性消泡剂,购自巴斯夫;

所述低泡表面活性剂为巴斯夫PE6400。

上述硅材料切割液的制备方法,依次按照如下步骤进行:

a. 在反应釜中加入称量的纯水;

b. 依次加入低泡表面活性剂、非离子双子型强效润湿剂、分子级水性消泡剂;

c.启动搅拌器,设定转速为60转/分钟,搅拌至溶液呈无色透明溶液为止。

实施例2:

本发明的硅材料切割液,所用原料及质量百分比如下:非离子双子型强效润湿剂5%,分子级水性消泡剂5%、低泡表面活性剂 20%及纯水余量。

所用原料及制备方法同实施例1。

实施例3:

本发明的硅材料切割液,所用原料及质量百分比如下:非离子双子型强效润湿剂8%,分子级水性消泡剂3%、低泡表面活性剂22%及纯水余量。

所用原料及制备方法同实施例1。

使用时将本发明的硅材料切割液加水配制成质量浓度为0.5~1%的工作液,即可上切割机经行切割工艺。

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