[发明专利]湿法刻蚀清洗设备和方法

权利要求书

1.一种湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：包括晶圆托举装置；

所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热；

湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关，在对所述晶圆进行湿法刻蚀过程中，各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度从而控制对应的所述晶圆的分区的温度的刻蚀速率，并使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。

2.如权利要求1所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层；所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加。

3.如权利要求2所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。

4.如权利要求3所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述晶圆的分区结构为：

按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形；

对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多；

在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。

5.如权利要求4所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：等分后形成的各所述扇形和所述最内侧圆形的面积趋于相等。

6.如权利要求2所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为KOH。

7.如权利要求1所述的湿法刻蚀清洗设备，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。

8.一种湿法刻蚀清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、对湿法刻蚀清洗设备的晶圆托举装置进行如下设置：

所述晶圆托举装置的底座表面用于放置晶圆，在所述底座上设置有多个加热装置，各所述加热装置按照所述晶圆的分区进行设置且用于实现对所述晶圆的各分区进行独立加热；

步骤二、将表面形成有需要被刻蚀的膜层的所述晶圆放置在所述晶圆托举装置的底座上；

步骤三、通过各所述加热装置独立控制对应的所述晶圆的分区的温度；

步骤四、在所述晶圆的所述膜层的表面喷射刻蚀液实现对所述膜层的湿法刻蚀，利用所述湿法刻蚀对所述膜层的刻蚀速率和温度相关性，通过对所述晶圆的各分区的温度的独立控制来实现对各分区的刻蚀速率的独立控制，使得所述晶圆上的膜层在湿法刻蚀后的面内平整度提高。

9.如权利要求8所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为硅膜层；

所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度的增加而增加，步骤三中根据所述湿法刻蚀的刻蚀速率随温度变化的关系曲线设置所述晶圆的各分区的温度。

10.如权利要求9所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀的刻蚀液为TMAH。

11.如权利要求8所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述湿法刻蚀对应的所述膜层为氧化硅膜层，所述湿法刻蚀的刻蚀液中包含有氢氟酸。

12.如权利要求10所述的湿法刻蚀清洗方法，其特征在于：所述晶圆的分区结构为：

按照所述晶圆的半径进行等分形成一个最内侧圆形以及依次位于所述最内侧圆形外的多个圆环形；

对各所述圆环形按照角度等分成多个扇形，越往外侧的所述圆环形等分的所述扇形的数量越多；

在各所述扇形处以及所述最内侧圆形处设置一个对应的所述加热装置。