[发明专利]一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法有效
| 申请号： | 201811281848.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109935530B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 彭强祥;兰杨波;杨琼;廖敏;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中山市华朋弘远知识产权代理事务所(普通合伙) 44531 | 代理人： | 汤畅阳 |
| 地址： | 411100 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 器件 中铁电 薄膜 可靠性 评估 实验 方法 | ||
1.一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：测量铁电薄膜的初始特性，得到关键初始性能参数；
S2：按工艺操作时间顺序，统计集成器件制作工艺路线中各工艺的温度和时间参数，提炼出对铁电薄膜性能影响较大的高风险工艺参数；
S3：将上述提炼出的高风险工艺参数，按工艺操作时间顺序，逐步复制温度值和温度时间，对铁电薄膜进行处理；
S4：测量得到各单一高风险工艺步骤后的铁电薄膜电学性能，并与前一步骤进行量化对比；
其中，S1和S4步骤，测量薄膜的电学性能，包括电滞回线、漏电流密度曲线、电容电压特性曲线、保持特性曲线、疲劳特性曲线。
2.如权利要求1所述一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：步骤S1：铁电薄膜为基于成熟稳定的铁电薄膜生长工艺制备的任意铁电薄膜。
3.如权利要求1所述一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：步骤S2：所统计的各工艺温度和时间参数基于确立的集成工艺路线。
4.如权利要求1所述一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：步骤S2：高风险工艺参数的提炼基于集成器件制作过程中工艺温度对铁电薄膜性能影响的前期评估。
5.如权利要求1所述一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：步骤S3：逐步复制的高风险工艺温度值和时间严格按照集成器件制作工艺操作时间顺序执行。
6.如权利要求1所述一种用于铁电器件中铁电薄膜可靠性评估的实验方法，其特征在于：步骤S4：变量考虑全面，实验耗时短，测量结果准确。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
