[发明专利]类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜及其制备和应用

权利要求书

1.一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜，其特征在于，该相变薄膜的化学组成为[Ge₅Sb₉₅(a)/ZnSb(b)]_x，其中，a、b分别表示单层Ge₅Sb₉₅薄膜和单层ZnSb薄膜的厚度，2nm≤a≤8nm，b＝10nm，x为复合薄膜的周期数。

2.根据权利要求1所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜，其特征在于，该相变薄膜的总厚度为40-60nm。

3.如权利要求1所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

(1)清洗SiO₂/Si(100)基片；

(2)安装好溅射靶材并抽真空；

(3)设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率，采用室温磁控溅射方法制备[Ge₅Sb₉₅(a)/ZnSb(b)]_x纳米复合多层相变薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述采用室温磁控溅射方法采用以下步骤：

(a)将基片旋转到Ge₅Sb₉₅靶位，开启Ge₅Sb₉₅的溅射电源，开始溅射Ge₅Sb₉₅薄膜，Ge₅Sb₉₅薄膜溅射完成后，关闭Ge₅Sb₉₅的溅射电源；

(b)将基片旋转到ZnSb靶位，开启ZnSb的射频电源，开始溅射ZnSb薄膜，ZnSb薄膜溅射完成后，关闭ZnSb的溅射电源；

(c)重复上述(a)、(b)两步，直到完成类超晶格[Ge₅Sb₉₅(a)/ZnSb(b)]_x纳米相变薄膜设定的周期数。

5.根据权利要求3所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，所述SiO₂/Si(100)基片的表面覆盖300nm的SiO₂。

6.根据权利要求3所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)控制真空度为2×10^-4Pa。

7.根据权利要求3所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)控制溅射气体为高纯氩气，工作气压为0.2Pa，气体流速为30SCCM。

8.根据权利要求3所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，靶材采用射频电源溅射，溅射功率为20W。

9.根据权利要求3或4所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜的制备方法，其特征在于，单层Ge₅Sb₉₅薄膜和单层ZnSb薄膜的厚度通过溅射时间控制，单层Ge₅Sb₉₅薄膜和单层ZnSb薄膜的溅射时间分别为8s-32s和76s。

10.如权利要求1所述的一种类超晶格锗锑/锌锑纳米相变薄膜在相变存储器中应用。